[发明专利]一种太阳能电池

说明书

本发明提供了一种太阳能电池，包括：p型硅基底；自其正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自背面向外设置的背面钝化膜和背面电极；p型硅基底的背面和背面钝化膜之间设置有若干p型掺杂区域，p型掺杂区域的掺杂浓度大于p型硅基底的掺杂浓度；背面电极与p型掺杂区域接触。本发明提供的太阳能电池，通过在p型硅基底背面掺杂浓度较高的p型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，使得p型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加背面电极中含铝电极之间的间距，以减少电极与p型掺杂区域的接触面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池。

背景技术

目前市场上商业化的PERC(Passivated Emitterand Rear Cell)太阳电池片的结构，正表面包含一层掺杂层，然后再在正表面上制备钝化层及电极，背面设置有钝化膜，背面电极通过钝化膜上的接触区域和硅基底接触。在这种情况下，背面金属电极和掺杂层接触的区域由于复合速率极高，所以造成电池性能的大幅下降。并且由于硅基底本身的横向电阻率较高的原因，电流不能很好的收集，最终也影响了太阳电池的效率。

发明内容

鉴于此，本发明提出了一种太阳能电池，旨在解决现有太阳能电池效率较低的问题。

一个方面，本发明提出了一种太阳能电池，包括：p型硅基底；自所述p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自所述p型硅基底背面向外依次设置的背面钝化膜和背面电极；其中，所述p型硅基底的背面和所述背面钝化膜之间设置有若干p型掺杂区域，所述p型掺杂区域的掺杂浓度大于所述p型硅基底的掺杂浓度；所述背面电极与所述p型掺杂区域接触。

进一步地，上述太阳能电池中，各所述p型掺杂区域间隔分布在所述p型硅基底背面的区域中。

进一步地，上述太阳能电池中，每个所述p型掺杂区域的宽度小于相邻的任意两个所述p型掺杂区域之间的间距。

进一步地，上述太阳能电池中，所述p型掺杂区域为带状结构，每个所述p型掺杂区域的宽度为20-300μm；各所述p型掺杂区域之间的间距为300-2000μm。

进一步地，上述太阳能电池中，在所述p型硅基底背面的区域中，沿所述背面钝化膜开膜区域的长度方向分别间隔设置有若干所述p型掺杂区域，位于不同的背面钝化膜开膜区域的下方的相对应的两个所述p型掺杂区域相互隔开。

进一步地，上述太阳能电池中，所述p型掺杂区域的掺杂浓度为5×10¹⁸～5×10²¹个/cm³。

进一步地，上述太阳能电池中，所述n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和第二n型掺杂区域，所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度；所述正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触。

进一步地，上述太阳能电池中，各所述第二n型掺杂区域间隔分布在所述第一n型掺杂区域中。

进一步地，上述太阳能电池中，每个所述第二n型掺杂区域的宽度小于相邻的任意两个所述第二n型掺杂区域之间的间距。

进一步地，上述太阳能电池中，每个所述第二n型掺杂区域的宽度为20-300μm；各所述第二n型掺杂区域之间的间距为300-2000μm。

进一步地，上述太阳能电池中，在所述第一n型掺杂区域上，沿所述负电极细栅线的长度方向分别间隔设置有若干所述第二n型掺杂区域，位于不同的负电极细栅线的下方的相对应的两个所述第二n型掺杂区域相互隔开。

进一步地，上述太阳能电池中，位于不同的所述负电极细栅线下方的各所述第二n型掺杂区域等间距设置。