[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备有效
申请号: | 201910138428.5 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN109950252B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 王刚;张露;李威龙;韩珍珍;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 成珊 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示屏 显示 设备 | ||
本发明提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备,该方法包括:在衬底上制备有源材料,通过第一掩膜板图形化有源材料形成有源层;在有源层上制备第一绝缘材料,通过复用第一掩膜板对第一绝缘材料进行弱曝形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上制备第一导电材料,通过第二掩膜板图形化第一导电材料形成栅极层;在栅极层上制备第二绝缘材料,通过复用第二掩膜板对第二绝缘材料进行弱曝,形成层间绝缘层。该方法通过复用第一掩膜板形成覆盖有源层上表面及侧壁的栅极绝缘层;通过复用第二掩膜板形成覆盖栅极层上表面及侧壁的层间绝缘层;栅极绝缘层和层间绝缘层仅覆盖必要区域,最大限度地去除无机膜层,提高了阵列基板的整体弯折性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备。
背景技术
柔性AMOLED显示器采用LTPS(低温多晶硅工艺)技术来制备阵列基板,常规的工艺制程是9mask工艺如下:有源层(PSI)-栅极走线层(M1) -电容极板层(M2)-过孔层(ILD)-源漏走线层(M3)-平坦化层(PLA) -阳极层(Anode)-像素定义层(PDL)-支撑柱层(SPC)。
折叠显示是柔性AMOLED显示器的应用之一,该技术需要显示区(AA 区)进行向外(内)的弯折。但是,发明人发现,柔性AMOLED显示器的弯折性能较差。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中柔性AMOLED显示器弯折性能差的缺陷。
为此,本发明提供如下技术方案:
本发明提供一种阵列基板的制作方法,包括如下步骤:在衬底上制备有源材料,通过第一掩膜板对所述有源材料进行图形化形成有源层;在所述有源层上制备第一绝缘材料,通过复用所述第一掩膜板对所述第一绝缘材料进行弱曝,形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上制备第一导电材料,通过第二掩膜板对所述第一导电材料图形化形成栅极层;在所述栅极层上制备第二绝缘材料,通过复用第二掩膜板对所述第二绝缘材料进行弱曝,形成层间绝缘层。该方法通过复用第一掩膜板形成覆盖有源层上表面及侧壁的栅极绝缘层;通过复用第二掩膜板形成覆盖栅极层上表面及侧壁的层间绝缘层;栅极绝缘层和层间绝缘层仅覆盖必要区域,最大限度地去除无机膜层,提高了阵列基板的整体弯折性。
在其中一个实施例中,所述在衬底上制备有源材料的步骤之前,还包括:在所述衬底上制备第三绝缘材料。
在其中一个实施例中,所述在所述有源层上制备第一绝缘材料,通过复用所述第一掩膜板对所述第一绝缘材料进行弱曝,形成栅极绝缘层的步骤中,包括:所述在所述有源层上制备第一绝缘材料,通过复用所述第一掩膜板对所述第一绝缘材料和所述第三绝缘材料进行弱曝,形成栅极绝缘层和缓冲层。该制作方法通过复用第一掩膜板同时去除非必要区域上的第一绝缘材料和第三绝缘材料,尽可能地多的去除无机膜层,增加阵列基板的弯折性。
在其中一个实施例中,所述在所述衬底上制备第三绝缘材料的步骤之后,还包括:在所述第三绝缘材料上制备第四绝缘材料。
在其中一个实施例中,所述在所述有源层上制备第一绝缘材料,通过复用所述第一掩膜板对所述第一绝缘材料进行弱曝,形成栅极绝缘层的步骤中,包括:在所述有源层上制备第一绝缘材料,通过复用所述第一掩膜板对所述第一绝缘材料、所述第四绝缘材料以及所述第三绝缘材料进行弱曝,形成栅极绝缘层、屏蔽层和缓冲层。该制作方法,通过复用第一掩膜板同时去除非必要区域上的第一绝缘材料、第四绝缘材料和第三绝缘材料,尽可能地多的去除无机膜层,增加阵列基板的弯折性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的