[发明专利]一种荆半夏离体块茎快速繁殖的方法

权利要求书

1.一种荆半夏离体块茎快速繁殖的方法，其特征在于方法步骤如下：(1)取荆半夏块茎作为外植体，经消毒灭菌后接种于培养基中，培养条件：温度25±1℃，光照强度1000～2000Lx，光照时间：10～12h/d，诱导荆半夏的块茎产生大量的丛生芽。

(2)半夏丛生芽生长到2cm左右后切去周围组织，接种于含有多效唑的培养基，培养条件：温度25±1℃，光照强度2000Lx，光照时间：10～12h/d。30天后形成0.8cm离体块茎。取出离体块茎，消毒清洗后，移栽至基质培养土中。

2.根据权利要求1所述的一种荆半夏离体块茎快速繁殖的方法，其特征在于：所述培养基为MS培养基，蔗糖的添加量为30g/L,琼脂的添加量为8.6g/L，6-BA的添加量为0.4～1.0mg/L，NAA的添加量为0.05mg/L，多效唑的添加量为0.6mg/L，AC的添加量为0.05g/L，pH值为5.8。

3.根据权利要求1所述的一种荆半夏离体块茎快速繁殖的方法，其特征在于：所述块茎标准直径为0.8cm。

4.一种根据权利要求1所述的荆半夏组织培养繁殖的方法，其特征在于：其特征在于按如下的步骤进行：

(1)以荆半夏块茎作为外植体，对荆半夏外植体的消毒灭菌；

(2)将步骤(1)的块茎切割成5mm×5mm小块，接入MS添加6-BA和NAA的培养基上，在25±1℃，1000～2000Lx光照强度下培养30天，可萌发出丛生芽；

(3)将步骤(2)中萌发出的丛生芽切成单芽，接入MS添加6-BA、多效唑和活性炭的培养基上，在25±1℃，2000Lx光照强度下培养30天，待离体块茎的直径达到0.8cm时进行大田移栽；

(4)将步骤(3)中经过倒苗的荆半夏离体块茎从培养平中取出，清洗两次，并用多菌灵浸泡10min后，移栽至基质培养土中即可。

5.根据权利要求4所述的一种荆半夏组织培养繁殖的方法，其特征在于：步骤(1)消毒灭菌具体为：先采用75％酒精处理30s，然后用无菌水冲洗3～4次，再用0.1％升汞消毒，同时滴加3～4滴Tween-80，7分钟后用无菌水冲洗6～8次；最后用医用头孢拉定溶液浸泡5min，再用无菌水冲洗3～4次待用。

6.根据权利要求5所述的一种荆半夏组织培养繁殖的方法，其特征在于：步骤(2)中MS培养基中6-BA的浓度为1.0mg/L，NAA的浓度为0.05mg/L，蔗糖的浓度为30g/L，琼脂的浓度为8.6g/L，光照强度为1000～2000Lx，光周期12h/d下。

7.根据权利要求6所述的一种荆半夏组织培养繁殖的方法，其特征在于：步骤(3)中MS培养基中的6-BA浓度为为0.5mg/L，多效唑的浓度为0.6mg/L,活性炭的浓度为0.05g/L，蔗糖的浓度为30g/L，琼脂的浓度为8.6g/L，光照强度为2000Lx，光周期12h/d下。

8.根据权利要求7所述的一种荆半夏组织培养繁殖的方法，其特征在于：步骤(4)中基质培养土的基质是由珍珠岩、蛭石、腐殖土按体积比为1：1：0.5配制。