[发明专利]双晶片存储器封装在审
申请号: | 201910140540.2 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN111276457A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 黄信贸 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/535;H01L25/065 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;董云海 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双晶 存储器 封装 | ||
1.一种双晶片存储器封装,其特征在于,包含:
封装基板;
第一晶片,设置于所述封装基板上,并且包含:
第一导电接垫,设置于所述第一晶片背向所述封装基板的表面;以及
第一接合垫,设置于所述第一晶片的所述表面;
第二晶片,设置于所述第一晶片远离所述封装基板的一侧,并且包含第二导电接垫,其中所述第二导电接垫设置于所述第二晶片面向所述第一晶片的表面;
接合引线,其中所述第一接合垫通过所述接合引线电性连接所述封装基板;以及
导电柱,其中所述第一导电接垫通过所述导电柱电性连接所述第二导电接垫。
2.如权利要求1所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第一导电接垫以及所述第二导电接垫在一个方向上对齐,所述方向垂直于所述第一晶片的所述表面,所述导电柱位于所述第一导电接垫以及所述第二导电接垫之间,并且接触所述第一导电接垫以及所述第二导电接垫。
3.如权利要求2所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第二导电接垫在所述第一晶片的所述表面上的垂直投影与所述第一导电接垫完全重叠。
4.如权利要求1所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第一导电接垫以及所述第二导电接垫在一个方向上不对齐,所述方向垂直于所述第一晶片的所述表面。
5.如权利要求4所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第二导电接垫在所述第一晶片的所述表面上的垂直投影至少部分与所述第一导电接垫不重叠。
6.如权利要求4所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第一晶片进一步包含重分布层,所述重分布层设置于所述第一晶片的所述表面,并且电性连接所述第一导电接垫,所述导电柱位于所述重分布层以及所述第二导电接垫之间,并且接触所述重分布层以及所述第二导电接垫。
7.如权利要求4所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第二晶片进一步包含重分布层,所述重分布层设置于所述第二晶片的所述表面,并且电性连接所述第二导电接垫,所述导电柱位于所述重分布层以及所述第一导电接垫之间,并且接触所述重分布层以及所述第一导电接垫。
8.如权利要求4所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第一晶片进一步包含第一重分布层,所述第一重分布层设置于所述第一晶片的所述表面,并且电性连接所述第一导电接垫,所述第二晶片进一步包含第二重分布层,所述第二重分布层设置于所述第二晶片的所述表面,并且电性连接所述第二导电接垫,所述导电柱位于所述第一重分布层以及所述第二重分布层之间,并且接触所述第一重分布层以及所述第二重分布层。
9.如权利要求8所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第一重分布层远离所述第一导电接垫的一端对齐所述第二重分布层远离所述第二导电接垫的一端。
10.如权利要求8所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述导电柱接触所述第一重分布层远离所述第一导电接垫的一端以及所述第二重分布层远离所述第二导电接垫的一端。
11.如权利要求1所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述接合引线的两端分别接触所述第一接合垫以及所述封装基板。
12.如权利要求1所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述第一晶片进一步包含重分布层,所述重分布层设置于所述第一晶片的所述表面,并且电性连接所述第一接合垫,所述接合引线的两端分别接触所述重分布层以及所述封装基板。
13.如权利要求12所述的双晶片存储器封装,其特征在于,所述重分布层远离所述第一接合垫的一端延伸至所述第一晶片的一边缘。
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