[发明专利]存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法

说明书

公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。

于2018年5月14日提交到韩国知识产权局(KIPO)的名称为“用于锤刷新操作的刷新控制电路、包括其的存储器装置及其操作方法”的第10-2018-0054686号韩国专利申请通过完整引用包含于此。

技术领域

示例实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地讲，涉及一种用于锤刷新操作的刷新控制电路、包括刷新控制电路的存储器装置及操作存储器装置的方法。

背景技术

用于存储数据的半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(DRAM)装置)通过对存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据，并且当断电时丢失存储的数据。非易失性存储器装置(诸如，闪存装置)即使在断电时也能保持存储的数据。易失性存储器装置广泛用作各种设备的主存储器，非易失性存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如，计算机、移动装置等)中存储程序代码和/或数据。

在易失性存储器装置中，存储在存储器单元中的单元电荷可能由于泄漏电流(leakage current)而丢失。此外，当字线在激活状态与预充电状态之间频繁转换时(例如，当字线已被集中地或频繁地访问时)，连接到与被频繁访问的字线邻近的字线的存储器单元会受到影响并丢失存储的电荷，可能导致数据丢失。在数据由于电荷的泄漏而丢失之前，可通过再充电来保持存储在存储器单元中的电荷。单元电荷的这种再充电被称为刷新操作，并且在单元电荷大量丢失之前，可重复执行刷新操作。

发明内容

根据示例实施例，一种存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号表示与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得该行通过锤刷新操作被刷新。

根据示例实施例，一种刷新控制电路包括：访问存储装置、存储装置控制器和刷新控制器。访问存储装置存储关于包括在存储器装置中的多个存储体的访问地址和访问计数值，其中，每个访问计数值表示每个访问地址的访问次数，访问存储装置被所述多个存储体共享。存储装置控制器基于从存储器控制器提供的访问地址信号来控制访问存储装置，并基于存储在访问存储装置中的访问地址和访问计数值，提供访问地址中的锤地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号表示与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得该行被锤刷新操作被刷新。

根据示例实施例，一种操作存储器装置的方法包括：使用被多个存储体共享的访问存储装置，管理关于所述多个存储体的访问地址；提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问得更多的访问地址；基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号表示与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得该行通过锤刷新操作被刷新。

附图说明

通过参照附图对示例性实施例进行详细描述，对本领域技术人员而言，特征将变得清楚，其中：

图1示出根据示例实施例的操作存储器装置的方法的流程图。

图2示出根据示例实施例的存储器系统的框图。

图3示出根据示例实施例的存储器装置的框图。

图4示出包括在图3的存储器装置中的锤地址管理器(hammer address manager)的示例实施例的框图。