[发明专利]一种毫米波三频三极化基片集成波导天线

权利要求书

1.一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，包括基板（1）、馈线（5）、变换器（4）、阻抗匹配电路（3）、辐射器（2）和底部地板，其特征在于，所述基板（1）从上往下依次包括上层金属表面（11）、中间介质层（12）和下层金属底面（13），在基板（1）顶面按照从上至下的顺序分别设置有辐射器（2）、阻抗匹配电路（3）、变换器（4）和馈线（5），其中辐射器（2）与阻抗匹配电路（3）连接，阻抗匹配电路（3）与变换器（4）连接，变换器（4）与馈线（5）连接，且辐射器（2）、阻抗匹配电路（3）、变换器（4）和馈线（5）周围均设置有过孔，所述辐射器（2）包括高频辐射器和中低频辐射器，基板（1）的上层金属表面（11）上设置有圆环缺口，高频辐射器为设置在圆环缺口外的波导辐射器，中低频辐射器为设置在圆环缺口中心的贴片辐射器，高频辐射器和中低频辐射器通过设置在圆环缺口上的金属铜连接，所述高频辐射器包括一对矩形缺口，该对矩形缺口以圆环缺口的圆心呈中心对称；所述中低频辐射器包括一对矩形缺口，该对矩形缺口根据圆环缺口的圆心呈中心对称，其中高频点和低频点的极化方式为圆极化，中频点为线极化。

2.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，中间介质层（12）的厚度为：0.254mm或0.508mm，上层金属表面（11）和下层金属底面（13）淀积的铜厚为0.018mm或0.035mm。

3.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，过孔的直径为：0.3mm~0.8mm，过孔之间的距离为：0.6~1.6mm。

4.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，所述馈线（5）为接地共面波导馈线，其特性阻抗为50欧姆。

5.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，所述变换器（4）为共面波导与介质集成的波导变换器，且变换器（4）长度为1.7mm~2.0mm。

6.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，所述阻抗匹配电路（3）包括三对阻抗调节过孔，三对过孔宽度为2.4mm~3.5mm，且阻抗匹配电路（3）长度为10mm~13mm。

7.根据权利要求6所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，阻抗匹配电路（3）中的三对调节过孔相对于匹配电路起始点的距离分别为：3.3mm~4.5mm、7.3mm~8.3mm和10mm~11mm，其中阻抗匹配电路（3）的起始点为阻抗匹配电路（3）与变换器（4）的连接处。

8.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，高频辐射器的外圈半径为3.8mm~4.5mm、内圈半径为2.6mm~3.3mm；所述矩形缺口的宽度为0.4mm~0.9mm、深度为0.2mm~0.4mm，且矩形缺口与水平方向的夹角为-45度或+45度。

9.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，中低频辐射器的形状为圆形，圆形半径为1.7mm~2.5mm；所述矩形缺口的宽度为0.4mm~0.8mm、深度为0.1mm~0.3mm；且矩形缺口与水平方向的夹角为：-45度或+45度。