[发明专利]增强侧向光场的光源在审
| 申请号： | 201910141106.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111609328A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 唐文婷;陈宝瑨;张瑞;蔡勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | F21K9/23 | 分类号： | F21K9/23;F21K9/69;F21K9/68;H01L33/58;H01L33/48;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 侧向 光源 | ||
1.一种增强侧向光场的光源，其特征在于包括半导体发光元件和透镜，所述半导体发光元件被包埋于透镜内并与透镜无缝结合，所述透镜具有顶面以及与顶面连接的侧面，所述半导体发光元件具有一个以上出光面，其中至少一个出光面朝向所述透镜的顶面设置，由所述半导体发光元件射向所述透镜顶面的至少部分光线能够被所述透镜顶面反射再从所述透镜侧面透射出。
2.如权利要求1所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述半导体发光元件与透镜顶面对应的出光面的尺寸小于所述透镜顶面的尺寸；所述半导体发光元件与透镜顶面对应的出光面或透镜顶面的形状包括圆形、矩形、菱形或多边形。
3.如权利要求1所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述透镜顶面为透明面，由所述半导体发光元件射向所述透镜顶面的部分光线能够被所述透镜顶面反射后从所述透镜侧面透射出，另一部分光线能够经所述透镜顶面向所述透镜的侧向折射出射。
4.如权利要求1所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述透镜顶面为反射面，由所述半导体发光元件射向所述透镜顶面的光线能够被所述透镜顶面反射后从所述透镜侧面透射出。
5.如权利要求1-4中任一项所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述透镜顶面包括平面或凹面。
6.如权利要求5所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述凹面包括球形凹面、椭球凹面、抛物凹面、双曲凹面、锥形凹面中的任意一种或两种以上的组合。
7.如权利要求1-4中任一项所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述透镜侧面包括透明的弧形面或柱面。
8.如权利要求7所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述弧形面包括球面、锥面、双曲面、椭球面中的任意一种或两种以上的组合。
9.如权利要求1所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述半导体发光元件包括LED芯片，所述LED芯片与透镜直接结合；或者，所述半导体发光元件包括LED芯片，至少在所述LED芯片的出光面上包覆有荧光层，所述荧光层与透镜直接结合。
10.如权利要求1所述的增强侧向光场的光源，其特征在于：所述半导体发光元件的底面与基板结合，所述半导体发光元件的顶面及侧面均为出光面，并且所述半导体发光元件的顶面、侧面分别朝向所述透镜的顶面、侧面设置。
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