[发明专利]发光器件表面粗化的方法与发光器件在审
| 申请号： | 201910141506.7 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109873059A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张丽旸;程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 发光器件表面 表面粗化 发光器件 粗化 制备 三维岛状生长 外延生长工艺 半导体领域 发光结构 反应设备 光子晶体 湿法刻蚀 效率提升 不连续 加工 | ||
1.一种发光器件表面粗化的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.在发光结构上制备三维岛状生长的第一外延层；及
b.在所述第一外延层上制备不连续的第二外延层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光结构包括n型半导体层、有源层及p型半导体层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光结构是GaN基材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外延层的材料与其直接接触的发光结构的材料不同，所述第二外延层与第一外延层的材料不同。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外延层的厚度小于40nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二外延层的厚度小于所述第一外延层的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a和步骤b依次被重复多次。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a和步骤b通过金属有机气相沉积的工艺来实现。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外延层为AlN，所述第二外延层为GaN。
10.一种发光器件，其特征在于，包括：
发光结构；
位于所述发光结构之上的三维岛状生长的第一外延层；及
位于所述第一外延层之上的不连续的第二外延层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构包括n型半导体层、有源层及p型半导体层。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构是GaN基材料。
13.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一外延层的材料与其直接接触的发光结构的材料不同，所述第二外延层与第一外延层的材料不同。
14.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一外延层的厚度小于40nm。
15.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第二外延层的厚度小于所述第一外延层的厚度。
16.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层重复多次。
17.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一外延层是AlN，所述第二外延层是GaN。
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