[发明专利]一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤在审
| 申请号： | 201910141561.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109683233A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;张磊;朱继红;张名凯;毛明锋;罗杰 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相对折射率差 外包层 有效面积 芯层 下陷内包层 单模光纤 低衰减 辅助芯 内包层 匹配 光纤 纯二氧化硅玻璃层 波导结构 光纤制备 光纤制造 弯曲损耗 包层 包覆 | ||
1.一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5.5～7.5μm，相对折射率差△n1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆辅助芯层、内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的辅助芯层半径r2为9～15μm，相对折射率差△n2为-0.20～0，所述的内包层半径r3为11～17μm，相对折射率差△n3为-0.20～0，所述的下陷内包层半径r4为15～19μm，相对折射率差△n4为-0.60～-0.20％，所述的辅助外包层半径r5为35～52μm，相对折射率差△n5范围为-0.4～-0.10％，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。
2.按权利要求1所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述的辅助芯层的相对折射率高于或低于内包层的相对折射率，其差值等于或小于0.20％。
3.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，其中碱金属含量为500～5000ppm。
4.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长的有效面积为120～160μm2。
5.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。
6.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于23ps/nm*km且等于或大于17ps/nm*km，所述光纤在波长1550nm处的色散斜率等于或小于0.07ps/nm2*km且等于或大于0.05ps/nm2*km，所述光纤在波长1625nm处的色散等于或小于27ps/nm*km。
7.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的衰耗等于或小于0.165dB/km。
8.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1700nm处的微弯损耗等于或小于5dB/km。
9.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处、R30mm弯曲半径弯曲100圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB。
10.按权利要求1或2所述的具有超低衰减大有效面积的单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的模场直径(MFD)为12.0μm～15.0μm。
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