[发明专利]边缘缺陷检查方法

说明书

本发明提供一种边缘缺陷检查方法，包括以下步骤：获取一目标元件的外观以取得一外观图像；依据外观图像决定出多个参考点；依据参考点形成一识别图案；以及依据识别图案及外观图像产生一检查结果。

技术领域

本发明涉及一种检查方法，且尤其涉及一种边缘缺陷检查方法。

背景技术

在半导体产业中，晶片(wafer)在制作完集成电路之后，需通过芯片封装制造来避免集成电路受到外界污染，并使得芯片与电子系统间形成电性连接的路径。现行普遍应用的芯片封装方式有两种：一是先将加工完成的晶片切割成多个晶粒后，再进行后续的封装制造；另一则是晶片级封装，即直接于整个晶片上进行封装制造，制作完成后再切割晶片以形成多个独立的芯片封装体。然而，无论是单分后的晶粒或晶片级芯片封装体，经切割后皆可能在晶粒/芯片边缘产生崩缺(chipping)或裂缝(crack)等边缘缺陷。因此，需通过芯片边缘缺陷检查过程，挑选出不良的晶粒或晶片级芯片封装体，以确保产品质量与生产良率。

目前的芯片边缘缺陷检查方法以图像检测技术最为常见。图像检测技术是利用晶粒的边缘结构所造成图像中的灰阶值差异以搜寻晶粒边缘。当晶粒边缘确定后，通过晶粒崩缺参数规格设定(例如崩缺深度30μm)加以定义晶粒边缘检查范围。一般而言，晶粒在邻近其边缘处会设置一保护结构，例如是密封环(seal ring)，保护结构通常是环绕晶粒边缘，以保护晶粒内部的线路结构，而晶粒崩缺参数规格会参考晶粒上的保护结构所在位置作设定，使得可能损及保护结构的崩缺或裂缝确实被检出。更具体而言，目前的检查方式是以图像获取装置检查是否有崩缺或裂缝自晶粒边缘向内延伸的深度超出晶粒崩缺参数规格，若检查到，则判定产品不良。然而，由于图像灰阶值差异取决于光源的调整、光源衰弱周期及产品表面反射程度，这些不确定因素容易造成晶粒边缘的搜寻失真。在晶粒边缘已失真的情况下，由晶粒边缘以固定的晶粒崩缺参数规格进行判定时，可能发生实际上已损及保护结构的崩缺或裂缝未被检出的情况。除此之外，当晶片切割发生偏移时，晶粒的四个边至保护结构的距离将产生差异，以上述方式进行检查，即可能发生在某个或某些边上实际已损及保护结构的崩缺或裂缝未被检出的状况。有鉴于此，开发新模式的边缘缺陷检查方法为本领域技术人员共同致力于研究的。

发明内容

本发明提供一种边缘缺陷检查方法，可提高缺陷检查的准确率。

本发明提供了一种边缘缺陷检查方法，包括以下步骤：获取目标元件的外观以取得外观图像；依据外观图像决定出多个参考点；依据参考点形成识别图案；以及依据识别图案及外观图像产生检查结果。

在本发明的一实施例中，上述的目标元件包括多个子元件，且依据外观图像决定出多个参考点的方法还包括：依据外观图像选择出目标元件的子元件的其中一部分；以及依据所选择的子元件标记参考点。

在本发明的一实施例中，上述的各参考点为对应的各子元件的中心。

在本发明的一实施例中，上述的子元件为焊球、接垫、线路或上述任意至少两者的组合。

在本发明的一实施例中，上述依据参考点形成识别图案的方法还包括：依据参考点取得识别图案数据；以及依据识别图案数据在外观图像上形成识别图案。

在本发明的一实施例中，上述的依据参考点取得识别图案数据的方法还包括：依据参考点形成参考图案；以及依据参考图案取得识别图案数据。

在本发明的一实施例中，上述依据识别图案及外观图像产生检查结果的方法还包括：比对外观图像的边界与识别图案；依据外观图像的边界与识别图案间的距离产生检查结果。

在本发明的一实施例中，上述的缺陷检查方法还包括：依据检查结果保留或抛除目标元件。

在本发明的一实施例中，上述的参考点的数量为至少三个。

在本发明的一实施例中，上述的目标元件包括由晶片切割出的至少一晶粒及至少一晶片级芯片封装体。