[发明专利]一种带隙基准电源产生电路及集成电路有效
申请号: | 201910141750.3 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN111610812B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 王科 | 申请(专利权)人: | 武汉杰开科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 电源 产生 电路 集成电路 | ||
1.一种带隙基准电源产生电路,其特征在于,包括:
偏置电路,用于根据偏置电压而提供启动电流;
带隙基准核心电路,连接所述偏置电路以接收所述启动电流并根据所述启动电流而进入稳定工作状态以输出预设电压或者预设电流;
所述带隙基准核心电路包括:
第一支路,连接所述偏置电路,以接收所述启动电流;
第二支路,连接所述偏置电路,以接收所述启动电流;
其中,所述偏置电路包括第二偏置单元,所述第二偏置单元连接所述偏置电压提供电路并连接设置在第一电压与所述第一支路和所述第二支路之间;
所述第二偏置单元包括第三晶体管,所述第三晶体管包括控制端、第一通路端和第二通路端,其中,所述第三晶体管的控制端连接所述偏置电压提供电路以接收所述偏置电压,所述第三晶体管的第一通路端连接至所述第一电压,而所述第三晶体管的第二通路端连接至所述第一支路和所述第二支路。
2.根据权利要求1所述的带隙基准电源产生电路,其特征在于,
所述带隙基准核心电路还包括运算放大器与驱动电路,所述运算放大器连接所述偏置电路以使所述运算放大器的第一电压端通过所述偏置电路而连接至第一电压,所述运算放大器的第二电压端连接第二电压;所述驱动电路连接所述运算放大器的输出端和所述第一支路,以根据所述运算放大器的输出而确定所述驱动电路的输出电流的大小;
所述第一支路还连接所述驱动电路,以在所述驱动电路开启时接收所述驱动电路提供的驱动电流;所述第二支路还连接所述驱动电路,以在所述驱动电路开启时接收所述驱动电路提供的驱动电流;
其中,所述第一支路和所述第二支路分别通过所述驱动电路和/或所述偏置电路而连接设置在所述第一电压和所述第二电压之间。
3.根据权利要求2所述的带隙基准电源产生电路,其特征在于,所述偏置电路包括:
第一偏置单元,连接所述偏置电压提供电路并连接设置在所述第一电压与所述运算放大器的第一电压端之间。
4.根据权利要求3所述的带隙基准电源产生电路,其特征在于,进一步包括:
偏置电压提供电路,连接所述偏置电路以提供所述偏置电压至所述偏置电路。
5.根据权利要求4所述的带隙基准电源产生电路,其特征在于,
所述驱动电路包括:
第四晶体管,其包括控制端、第一通路端和第二通路端,其中,所述第四晶体管的控制端连接至所述运算放大器的输出端,所述第四晶体管的第一通路端连接所述第一电压,而所述第四晶体管的第二通路端连接所述第一支路和所述第二支路。
6.根据权利要求4所述的带隙基准电源产生电路,其特征在于,所述偏置电压提供电路包括:
第十三晶体管,其包括控制端、第一通路端和第二通路端,其中,所述第一通路端连接至所述第一电压,所述第十三晶体管的控制端与所述第二通路端连接在一起,且连接点作为所述偏置电压提供电路的输出端以输出所述偏置电压;
第四电阻,其包括第一端和第二端,所述第四电阻的第一端连接所述第十三晶体管的第二通路端,所述第四电阻的第二端连接至所述第二电压。
7.根据权利要求3所述的带隙基准电源产生电路,其特征在于,所述第二偏置单元为自偏置电路,其包括:
自偏置晶体管,其包括控制端、第一通路端和第二通路端,其中,所述自偏置晶体管的第一通路端连接至所述第一电压;
第四电阻,其包括第一端和第二端,其中,所述第四电阻的第一端、所述自偏置晶体管的控制端、所述自偏置晶体管的第二通路端连接在一起,且其连接处定义为第五节点,所述第五节点为偏置电压点以在上电时生成所述偏置电压,所述第四电阻的第二端作为所述自偏置电路的输出端以连接所述第一支路和所述第二支路。
8.一种集成电路,其特征在于,包括如权利要求1-7任意一项所述的带隙基准电源产生电路。
9.根据权利要求8所述的集成电路,其特征在于,进一步包括电源管理单元、模数转换器、数模转换器和上电复位电路中的至少之一,且所述电源管理单元、所述模数转换器、所述数模转换器和所述上电复位电路中的至少之一连接所述带隙基准电源产生电路以藉由所述带隙基准电源产生电路输出的预设电压或者预设电流驱动所述电源管理单元、所述模数转换器、所述数模转换器和所述上电复位电路中的至少之一。
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