[发明专利]一种静电吸盘及晶圆测试方法

权利要求书

1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：

基板，用于承载待吸附物；

绝缘层，设置在所述基板的上方，并且通过静电力吸附所述待吸附物；

导电部，设置在所述基板和/或所述绝缘层中，与所述待吸附物的背面的至少部分区域接触。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面存在凹陷区，所述凹陷区的厚度小于所述晶圆的外围边缘的厚度；所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且所述静电吸盘的至少部分区域填充所述凹陷区，将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部与所述测试机台导通。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述待吸附物包括晶圆，所述晶圆的背面呈现平面式，所述静电吸盘吸附所述晶圆，并且将所述晶圆放置在测试机台上进行测试时，所述晶圆的背面通过所述导电部与所述测试机台导通。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板和所述绝缘层的直径相同，所述基板和所述绝缘层的直径介于188mm～315mm，所述绝缘层的厚度介于50μm～280μm，所述基板和所述绝缘层的厚度之和介于250μm～720μm。

5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括绝缘材料或半导体材料；所述导电部包括设置在所述基板和所述绝缘层中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述基板和所述绝缘层。

6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括导体材料；所述导电部包括设置在所述绝缘层中的至少一个导电孔和填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电孔贯穿所述绝缘层并且与所述基板导通。

7.根据权利要求5或6所述的静电吸盘，其特征在于，所述导电孔的中心距离所述静电吸盘的边缘5000μm～10000μm，并且所述导电孔以同心圆的形式分布在所述静电吸盘中，所述导电孔的直径介于1450μm～1600μm。

8.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层的直径小于所述基板的直径，并且在所述基板的中间区域形成突出部，所述突出部填充所述凹陷区；所述基板包括绝缘材料或半导体材料，所述导电部包括设置在所述基板的边缘部分中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述基板的边缘部分。

9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm；所述基板的直径介于198mm～302mm，厚度介于200μm～300μm。

10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基板包括多层结构，所述基板包括绝缘材料或半导体材料，所述基板中的部分层结构形成与所述绝缘层连接的第一基部，所述基板中的其余层结构形成位于所述第一基部下方的第二基部；

所述绝缘层和所述第一基部的直径相同且小于所述第二基部的直径，并且所述绝缘层和所述第一基部在所述第二基部的中间区域形成突出部；

所述导电部包括设置在所述第二基部的边缘部分中的至少一个导电孔以及填充在所述导电孔中的导电材料，所述导电部贯穿所述第二基部的边缘部分。

11.根据权利要求10所述的静电吸盘，其特征在于，所述绝缘层和所述第一基部形成的突出部的直径介于188mm～290mm，厚度介于700μm～720μm，其中，所述绝缘层的厚度介于200μm～280μm；所述第二基部的直径介于198mm～302mm，厚度介于200μm～300μm。