[发明专利]探测面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910142562.2 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN109830563B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 华刚;车春城;李成;王建;薛艳娜;张勇;林家强 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;KA图像
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;H01L31/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 探测 面板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种探测面板,包括第一基板和第二基板,其中,

所述第一基板包括第一电极和光探测层;

所述第二基板包括驱动电路和第二电极,所述第一电极、所述第二电极与所述光探测层构成感光元件;

所述第一基板与所述第二基板相对设置以对盒,

所述驱动电路包括开关晶体管,所述第二电极与所述开关晶体管的源极或漏极电连接;

所述第二基板还包括电容电极,所述电容电极与所述开关晶体管的栅极同层设置,并与所述第二电极耦合形成电容,从而使得所述驱动电路与所述光探测层耦接以读取所述光探测层产生的感光信号,所述电容配置为存储所述感光信号;

所述感光元件还包括介质层,所述介质层位于所述第一基板中且位于所述第一电极和所述光探测层之间,所述介质层的材料为聚酰亚胺;

所述介质层的厚度小于所述光探测层的厚度的十分之一。

2.如权利要求1所述的探测面板,所述第一基板还包括第一衬底,所述感光元件位于所述第一衬底上并与所述第一衬底直接接触。

3.如权利要求1所述的探测面板,其中,所述感光元件为金属-半导体-金属型感光元件。

4.如权利要求1所述的探测面板,其中,所述第一基板还包括第一衬底以及设置于所述第一衬底与所述感光元件之间的缓冲层,

所述缓冲层整面设置且与所述第一衬底直接接触。

5.一种探测面板的制作方法,包括:

提供第一基板,其中,所述第一基板包括第一电极和光探测层;

提供第二基板,其中,所述第二基板包括驱动电路和第二电极;所述驱动电路包括开关晶体管,所述第二电极与所述开关晶体管的源极或漏极电连接;

将所述第一基板和所述第二基板对盒,使得所述第一电极、所述第二电极与所述光探测层构成感光元件;

所述第二基板还包括电容电极,所述电容电极与所述开关晶体管的栅极同层设置,并与所述第二电极耦合形成电容,从而使得所述驱动电路与所述光探测层耦接以读取所述光探测层产生的感光信号,所述电容配置为存储所述感光信号;

所述感光元件还包括介质层,所述介质层位于所述第一基板中且位于所述第一电极和所述光探测层之间,所述介质层的材料为聚酰亚胺;所述介质层的厚度小于所述光探测层的厚度的十分之一。

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