[发明专利]一种闪存器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种闪存器件及其制造方法，该闪存器件包括半导体衬底、浮栅、栅堆叠层和擦除栅，其中，浮栅形成在衬底上，浮栅的一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，仅覆盖所述字线区一侧的浮栅上形成有栅堆叠层，其中栅堆叠层包括层叠的隔离层和控制栅，擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，擦除栅区一侧的浮栅上覆盖有擦除栅。在本申请实施例中，可以通过为擦除栅施加电压进行浮栅中电子的擦除，由于擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，则擦除栅区一侧的浮栅具有更多的尖角，这样在擦除栅上施加电压，将更容易擦除浮栅中的电子，因此擦除效率得以提高。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种闪存器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器得到了广泛的应用。浮栅型闪存是一种非易失性存储器，具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点。

而随着闪存的应用越来越广泛，将闪存嵌入其他的应用系统芯片中成为闪存发展的另一个主要方向，在嵌入式的闪存中，通常采用分立栅的闪存器件，其具有低编程电压、编程效率高的优点，分立栅的闪存器件中的浮栅为非对称结构，一侧的浮栅伸出控制栅一部分，该侧浮栅的侧面将形成擦除栅。在该闪存器件中，通过在擦除栅上施加偏压，擦除浮栅中存储的电子，擦除的效率是衡量器件性能的重要指标。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种闪存器件及其制造方法，提高闪存器件的擦除效率。

为实现上述目的，本申请提供了一种闪存器件，包括：

半导体衬底；

所述衬底上的浮栅，所述浮栅一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；

仅覆盖所述字线区一侧的浮栅的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构；

覆盖所述擦除栅区一侧的浮栅的擦除栅。

可选的，还包括所述堆叠层侧壁上的侧壁保护层。

可选的，所述阶梯结构包括两级阶梯。

可选的，所述栅堆叠层还包括所述控制栅之上的控制栅保护层。

本申请实施例还提供了一种闪存器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成浮栅以及所述浮栅上的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区，所述栅堆叠层仅覆盖字线区一侧的浮栅，所述擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构；

形成覆盖所述擦除栅区一侧的浮栅的擦除栅。

可选的，在所述半导体衬底上形成浮栅以及所述浮栅上的栅堆叠层，包括：

在所述衬底上形成浮栅层，以及在所述浮栅层上形成图案化的栅堆叠层；

在所述擦除栅区一侧的栅堆叠层的侧壁上形成侧墙；

以所述侧墙为掩蔽，图案化所述浮栅层，以形成浮栅；

进行一次或多次阶梯形成工艺，所述阶梯形成工艺包括：去除部分厚度的所述侧墙，并以剩余的侧墙为掩蔽，去除部分厚度的浮栅，以在所述擦除栅区一侧的浮栅形成阶梯结构；

去除剩余的侧墙。

可选的，在所述擦除栅区一侧的栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，包括：

利用侧墙工艺在所述栅堆叠的侧壁上形成侧墙；

在所述擦除栅区一侧的侧墙上形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩蔽，去除所述字线区一侧的侧墙；