[发明专利]制作非对称低中压器件的方法及非对称低中压器件在审
| 申请号： | 201910142611.2 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613533A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 对称 低中压 器件 方法 | ||
1.一种制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
在非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱；
在所述N阱上方的所述衬底区的上表面制作闸极，所述闸极与所述P阱无重合区域；
从所述P阱上方的所述衬底区的上表面打开窗口，并大角度注入第一掺杂离子形成第一掺杂区；
从所述P阱上方的所述衬底区的上表面以小角度注入第二掺杂离子至所述第一掺杂区内形成第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在横向上的间隔形成沟道。
2.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述从所述P阱上方的所述衬底区的上表面以小角度注入第二掺杂离子的步骤之后还包括：
在所述衬底区制作N型重掺杂区。
3.如权利要求2所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，在所述衬底区制作N型重掺杂区的步骤之后还包括：
在所述闸极和所述N阱对应的所述衬底区的上表面之间形成合金阻挡区。
4.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，在所述非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱步骤之前还包括：
在所述非对称低中压器件的基片上形成衬底区以及在所述非对称低中压器件的基片上制作STI。
5.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为硼离子，所述硼离子的掺杂浓度为1.8E12/立方厘米～2.2E12/立方厘米。
6.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，在所述大角度注入第一掺杂离子以形成沟道的步骤中，所述大角度注入的角度范围为27～33度。
7.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述沟道的长度范围为0.05～0.3微米。
8.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述第二掺杂离子为砷离子，所述砷离子的掺杂浓度为5.5E14/立方厘米～6.1E14/立方厘米。
9.如权利要求1所述的制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述小角度注入的角度范围为0～10度。
10.一种非对称低中压器件，其特征在于，所述非对称低中压器件包括：
衬底区；
位于所述衬底区中的N阱和P阱；
位于所述N阱上方的闸极，所述闸极与所述P阱无重合区域；
位于所述P阱上方第一掺杂区；
位于所述第一掺杂区内的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在横向上的间隔形成沟道。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910142611.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
