[发明专利]具有静电防护结构的装置及其制备方法有效
申请号: | 201910142635.8 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN109950280B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 华正伸;陈闻凯;吴伟力;邱林林;王会 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 静电 防护 结构 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有静电防护结构的装置,包括基板、盖板和设置于所述基板和盖板之间的发光组件,其特征在于,所述基板上具有沿其周缘设置的导电结构,所述导电结构连续设置并包围所述发光组件形成闭合环状结构;所述闭合环状结构具有与接地导线连接的连接处;所述发光组件为多个,每个发光组件的周缘还形成有包围发光组件的导电层。
2.根据权利要求1所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,所述导电结构包括设置于所述基板上的基板凹槽和填充于所述基板凹槽内的防静电填料。
3.根据权利要求2所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,所述导电结构还包括设置于所述盖板上的盖板凹槽和填充于所述盖板凹槽内的防静电填料,且所述基板凹槽与所述盖板凹槽相对设置,形成填充所述防静电填料的闭合空间。
4.根据权利要求3所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,所述防静电填料为TiO2、SnO2或In2O3。
5.根据权利要求2或3所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,所述导电层为导电粉涂层,所述导电粉涂层为玻璃粉与第一导电材料的混合物。
6.根据权利要求5所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,所述第一导电材料为TiO2、SnO2或In2O3。
7.根据权利要求5所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,所述导电粉涂层中,所述第一导电材料的用量不大于4.5wt%。
8.根据权利要求5所述的具有静电防护结构的装置,其特征在于,围绕所述导电层的外部还设置有粘合剂层,所述粘合剂层为高聚物粘合剂与第二导电材料的混合物;所述粘合剂中所述第二导电材料的用量不大于3.4wt%。
9.一种制备权利要求1-8任一所述的具有静电防护结构的装置的方法,包括,在基板上沿其周缘设置一闭合的基板凹槽,并向所述基板凹槽内填充防静电填料;
接着在所述基板上制作发光组件,所述发光组件为多个;提供盖板,在所述盖板上对应每一所述发光组件制备一导电层;
将所述基板与盖板压合,密封得到所述装置。
10.根据权利要求9所述的具有静电防护结构的装置的制备方法,其特征在于,还包括沿所述盖板周缘,设置一对应所述基板凹槽的闭合的盖板凹槽,并向所述盖板凹槽内填充防静电填料的步骤。
11.根据权利要求9所述的具有静电防护结构的装置的制备方法,其特征在于,还包括在所述导电层的外侧围绕所述导电层制作粘合剂层和烘烤的步骤。
12.根据权利要求11所述的具有静电防护结构的装置的制备方法,其特征在于,所述导电层由丝网印刷方法制得。
13.根据权利要求9-12任一所述的具有静电防护结构的装置的制备方法,其特征在于,在压合前,还包括在所述防静电填料上涂布粘结剂的步骤。
14.根据权利要求13所述的具有静电防护结构的装置的制备方法,其特征在于,涂布于所述防静电填料上的所述粘结剂中还含有第二导电材料。
15.根据权利要求13所述的具有静电防护结构的装置的制备方法,其特征在于,所述基板凹槽为矩形,且四角为圆角,在所述基板上制作Array工艺层、OLED工艺层形成发光组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的