[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

堆叠主体，其中多个绝缘层和多个导电层交替地堆叠在衬底上方；

导柱，其穿过所述堆叠主体，同时沿所述堆叠主体的堆叠方向延伸；以及

半导体层、第一绝缘层、电荷累积层和第二绝缘层，其从所述导柱依次堆叠在所述导柱的侧表面上，

其中所述半导体层具有在较接近所述导柱的侧上较大且在较接近所述第一绝缘层的侧上较小的平均晶粒大小。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层具有在较接近所述导柱的侧上较高且在较接近所述第一绝缘层的侧上较低的结晶度。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层在较接近所述导柱的侧上含有单晶硅或多晶硅，且在较接近所述第一绝缘层的侧上含有非晶硅。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层在较接近所述导柱的侧上含有单晶硅，且在较接近所述第一绝缘层的侧上含有非晶硅或多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层在较接近所述导柱的侧上含有单晶硅，且在较接近所述第一绝缘层的侧上含有非晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层在较接近所述导柱的侧上含有单晶硅，且在较接近所述第一绝缘层的侧上含有多晶硅。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层在较接近所述导柱的侧上含有多晶硅，且在较接近所述第一绝缘层的侧上含有非晶硅。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述平均晶粒大小较大的所述半导体层的部分相比于所述半导体层的整个厚度具有40％或更大以及90％或更小的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述平均晶粒大小较大的所述半导体层的部分相比于所述半导体层的整个厚度具有50％或更大以及80％或更小的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层充当逆行沟道层。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层是沉积在穿过所述堆叠主体的孔中的硅层。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层是在所述孔中沉积之后在氢气氛围中退火的硅层。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中所述半导体层是在所述孔中沉积之后在氢气氛围中在1,000℃或更低的温度下退火的硅层。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中所述导柱是填充在形成有所述半导体层的所述孔中的绝缘体。

15.一种半导体存储器装置，其包括：

导柱，其沿与衬底的主表面相交的方向在所述衬底上方延伸；以及

多个存储器单元，其沿所述导柱的高度方向布置在所述导柱的侧表面上，

其中

所述存储器单元包含覆盖所述导柱的侧表面的沟道层，且

所述沟道层具有在较接近所述导柱的侧上较大且在与所述导柱相对的侧上较小的平均晶粒大小。

16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中所述沟道层在较接近所述导柱的侧上含有单晶硅或多晶硅，且在与所述导柱相对的侧上含有非晶硅。

17.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中所述沟道层在较接近所述导柱的侧上含有单晶硅，且在与所述导柱相对的侧上含有非晶硅或多晶硅。