[发明专利]金属薄膜图形的制造方法有效
| 申请号： | 201910144355.0 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109911843B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 图形 制造 方法 | ||
1.一种金属薄膜图形的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在半导体衬底上形成金属薄膜；
采用CVD淀积工艺形成所述金属薄膜；
所述金属薄膜为TiN薄膜；
步骤二、将所述半导体衬底放入到CVD工艺腔中进行CVD吹扫处理来释放所述金属薄膜的应力；
步骤二中所述CVD吹扫由高温吹扫加降温吹扫两个过程组成，所述高温吹扫的工艺温度大于室温，所述降温吹扫过程中工艺温度由所述高温吹扫对应的工艺温度降低到室温；
所述高温吹扫的工艺温度为400℃～450℃，气体流量为200scc～500scc，工艺时间为1分钟～3分钟；所述高温吹扫的气体包括氮气或惰性气体；
所述降温吹扫的气体流量为200scc～500scc，工艺时间为1分钟～3分钟；所述降温吹扫的气体包括氮气或惰性气体；
步骤三、将所述半导体衬底取出，对所述金属薄膜进行光刻刻蚀形成金属薄膜图形。
2.如权利要求1所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求2所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：所述金属薄膜用于作为MEMS器件的电极层材料。
4.如权利要求3所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：所述金属薄膜用于作为所述MEMS器件的桥梁结构。
5.如权利要求4所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：在形成所述金属薄膜之前还包括形成第一氧化硅层的步骤，所述第一氧化硅层和所述金属薄膜叠加形成所述桥梁结构的底层结构。
6.如权利要求5所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：在步骤二完成之后以及步骤三之前还包括如下步骤：
在所述金属薄膜的表面形成顶层结构。
7.如权利要求6所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：所述顶层结构包括依次叠加的第二氧化硅层、第三氮化硅层和第四氧化硅层。
8.如权利要求7所述的金属薄膜图形的制造方法，其特征在于：步骤三中的光刻工艺定义出所述桥梁结构，刻蚀工艺依次对所述顶层结构的所述第四氧化硅层、所述第三氮化硅层和所述第二氧化硅层以及所述底层结构的所述金属薄膜以及所述第一氧化硅层进行刻蚀形成所述桥梁结构。
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