[发明专利]线性稳压器电路

权利要求书

1.一种线性稳压器电路，其特征在于，该线性稳压器电路至少包括：

主驱动稳压器电路和低压驱动电路；

所述主驱动稳压器电路设有电源电压和NMOS驱动器件；所述电源电压接所述NMOS驱动器件的漏极；

所述低压驱动电路由电源采样模块、比较器、反相器及第二PMOS管组成；所述电源采样模块输入端接所述电源电压，输出为采样点电压；所述比较器输入端负脚连接所述电源采样模块的输出端，其输入端正脚连接一输入参考电压；所述反相器输入端与所述比较器的输出端连接；所述反相器的输出端与所述第二PMOS管的栅极相连接；所述第二PMOS管的源极接所述主驱动稳压器电路的电源电压；

所述第二PMOS管的漏极与所述NMOS驱动器件的源极共同作为输出端电压；低压应用条件下，所述电源电压的值为1.62V至5.5V，所述输出端电压的值为1.6V至1.98V。

2.根据权利要求1所述的线性稳压器电路，其特征在于：所述主驱动稳压器电路还包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接于所述电源电压，其漏极与所述NMOS驱动器件的栅极相连接。

3.根据权利要求2所述的线性稳压器电路，其特征在于：所述主驱动稳压器电路还包括一个P型MOS管PM0管和四个N型MOS管：NM0管、NM1管、NMirr0管、NMirr1管；该主驱动稳压器电路还包括电阻R0和电阻R1以及电容器Cc；所述PM0管的源极连接于所述电源电压端，其栅极与所述第一PMOS管的栅极、NM0管的漏极连接；所述NM0管的栅极连接一输入参考电压；所述第一PMOS管的漏极、所述NMOS驱动器件的栅极、NM1管的漏极以及所述电容器Cc的上极板相互连接；所述NM0管的源极、NM1管的源极以及所述NMirr1管的漏极相互连接；所述NMirr0管的栅极、漏极和所述NMirr1管的栅极共同连接一偏置电流源；所述电阻R1的一端与所述NMOS驱动器件的源极共同作为输出端电压；所述电阻R1的另一端、NM1管的栅极以及电阻R0的一端共同连接；所述电容器Cc的下极板、所述电阻R0的另一端、所述NMirr1管的源极以及所述NMirr0管源极共同接地。

4.根据权利要求1所述的线性稳压器电路，其特征在于：低压应用条件下，所述电源电压为1.62V，所述输出端电压为1.6V，所述驱动电流为10mA。

5.根据权利要求1所述的线性稳压器电路，其特征在于：全条件下，NMOS驱动器件的阈值电压大于20mV。

6.根据权利要求1所述的线性稳压器电路，其特征在于：所述第二PMOS管的阈值电压小于1.62V。