[发明专利]一种MEMS桥梁结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910144781.4 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109928357A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 桥梁结构 氧化硅薄膜层 含钛薄膜 衬底 薄膜 复合薄膜层 翘曲 中和 蚀刻 多层薄膜 封装测试 复合薄膜 光刻工艺 桥梁 沟道 对准 释放 应用 | ||
1.一种MEMS桥梁结构，其特征在于，至少包括：
衬底；位于所述衬底上的含钛薄膜层；
位于所述含钛薄膜层上的氧化硅薄膜层；
位于所述氧化硅薄膜层上的复合薄膜层。
2.根据权利要求1所述的MEMS桥梁结构，其特征在于：所述衬底为硅基板。
3.根据权利要求1所述的MEMS桥梁结构，其特征在于：所述衬底为二氧化硅膜层或非晶硅膜层。
4.根据权利要求1所述的MEMS桥梁结构，其特征在于：位于所述衬底上的含钛薄膜层中含有钛和氮化钛，所述含钛薄膜层的厚度为100埃至200埃。
5.根据权利要求1所述的MEMS桥梁结构，其特征在于：位于所述衬底上的含钛薄膜层为氮化钛膜层，所述氮化钛膜层的厚度为100埃至200埃。
6.根据权利要求1所述的MEMS桥梁结构，其特征在于：所述氧化硅薄膜层的厚度为500埃至800埃。
7.根据权利要求1所述的MEMS桥梁结构，其特征在于：所述复合薄膜层由二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的层叠结构构成，所述层叠结构中两层二氧化硅的厚度均为100埃至400埃，所述氮化硅的厚度为300埃至600埃。
8.一种MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
步骤一、提供一衬底，在所述衬底上形成含钛薄膜层；
步骤二、在所述含钛薄膜层上形成氧化硅薄膜层；
步骤三、在所述氧化硅薄膜层上形成复合薄膜层。
9.根据权利要求8所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述含钛薄膜层中含有钛和氮化钛，形成该含钛薄膜层的方法为物理气相沉积法，所述含钛薄膜层形成的厚度为100埃至200埃。
10.根据权利要求9所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述含钛薄膜层为氮化钛膜层，形成该氮化钛膜层的方法为物理气相沉积法，所述氮化钛膜层形成的厚度为100埃至200埃。
11.根据权利要求8所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：步骤二中的氧化硅薄膜层的形成方法为化学气相沉积法。
12.根据权利要求11所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：所述氧化硅薄膜层的形成厚度为500埃至800埃。
13.根据权利要求8所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：步骤三中的复合薄膜层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的层叠结构。
14.根据权利要求13所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：所述层叠结构的形成方法为化学气相沉积法。
15.根据权利要求14所述的MEMS桥梁结构的形成方法，其特征在于：所述层叠结构中两层二氧化硅的厚度均为100埃至400埃，所述氮化硅的厚度为300埃至600埃。
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