[发明专利]使用薄膜晶体管的可重配置的互连布置

说明书

提供了使用薄膜晶体管的可重配置的互连布置。本文中所公开的是包括薄膜晶体管（TFT）的可重配置的互连布置。示例性的布置包括被提供在半导体衬底之上的TFT，所述布置包括在TFT与半导体衬底之间的一个或多个金属互连层，以及被提供在TFT的与面向半导体衬底的侧相对的侧之上的一个或多个金属互连层。将TFT集成在互连布置的金属互连层中间有利地允许通过控制被施加到TFT的栅极电极的电压来控制在各种电路元件之间的电连接性。

技术领域

本公开一般地涉及半导体器件的领域，并且更具体地涉及用于连接半导体器件的各种电路元件的互连布置。

背景技术

集成电路（IC）结构中的多个元件可以通过导电的、典型金属的互连而被电连接。一旦被制造，常规的互连布置就是硬性的，无另外的修改有可能。这样的常规的互连布置在某些应用（例如某些存储器或逻辑应用）中已在其可伸缩性方面受限。

附图说明

通过结合附图的以下详细描述，将容易地理解实施例。为了便于此描述，同样的参考标号标明同样的结构元素。在附图的各图中作为示例而不是作为限制地图示了实施例。

图1图示了根据本公开的各种实施例的具有薄膜晶体管的示例性可重配置的互连布置的横截面视图。

图2图示了根据本公开的一些实施例的示例性电子器件的横截面视图，所述示例性电子器件实现具有薄膜晶体管的可重配置的互连布置。

图3图示了根据本公开的其它实施例的示例性电子器件的横截面视图，所述示例性电子器件实现具有薄膜晶体管的可重配置的互连布置。

图4是根据本公开的一些实施例的用于操作如下电子器件的说明性方法的流程图：所述电子器件使用具有薄膜晶体管的可重配置的互连布置。

图5A和5B是根据各种实施例的可以包括本文中所公开的可重配置的互连布置中任一个的管芯和晶圆的顶视图。

图6是根据各种实施例的可以包括本文中所公开的可重配置的互连布置中任一个的集成电路（IC）器件的横截面侧视图。

图7是根据各种实施例的可以包括本文中所公开的可重配置的互连布置中任一个的IC器件的横截面侧视图。

图8是根据各种实施例的可以包括本文中所公开的可重配置的互连布置中任一个的示例计算设备的框图。

具体实施方式

本文中所公开的是包括薄膜晶体管（TFT）的可重配置的互连布置。示例性的布置包括被提供在半导体衬底之上的TFT，所述布置包括在TFT与半导体衬底之间的一个或多个金属互连层，以及被提供在TFT的与面向半导体衬底的侧相对的侧之上的一个或多个金属互连层。将TFT集成在互连布置的金属互连层中间有利地允许通过控制被施加到TFT的栅极电极的电压来控制在各种电路元件之间的电连接性。例如，这样的TFT可以用于连接具有所选的前端晶体管的存储元件，例如动态随机存取存储器（DRAM）元件、磁性随机存取存储器（MRAM）元件、电阻性随机存取存储器（RRAM）元件，或DRAM、MRAM、和/或RRAM元件的串。

TFT是特殊种类的场效应晶体管，其通过在支撑性的典型非导电的层之上沉积有源半导体材料的薄膜、以及介电层和金属接触部而被制成。有源半导体材料的至少一部分形成TFT的沟道。这不同于常规的、非薄膜晶体管，其中有源半导体沟道材料典型是衬底的一部分，例如硅晶圆的一部分。本公开的实施例利用TFT的这种独特的结构来提供可重配置的互连布置。