[发明专利]用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法

说明书

公开了用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法。实施例提供了一种用于测量晶片的表面上的颗粒的方法，所述方法包括：将晶片设置在台上并旋转所述台上的晶片；将激光照射在旋转晶片的表面的中心的第一区域、所述第一区域和第三区域之间的第二区域、以及其边缘的第三区域；并且测量从所述晶片的所述第一至第三区域反射的激光，其中照射在所述第二区域中的激光的第二输出大于照射在所述第一区域中的激光的第一输出，并且照射在所述第三区域中的激光的第三输出大于照射在所述第二区域中的激光的所述第二输出。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年11月21日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2018-0144584的优先权，该申请通过引用结合于此。

技术领域

实施例涉及用于测量晶片表面上的颗粒的装置和方法，并且具体地，涉及用于测量晶片表面上的颗粒的装置和方法，其能够测量位于晶片表面上的具有几微米(μm)或更小的尺寸的精细颗粒。

背景技术

在通过切克劳斯基(CZ)法等生长硅单晶锭之后，通过一系列工艺制造用于生产诸如半导体或太阳能电池的电子部件的材料的硅晶片。此外，通过诸如注入预定离子并在晶片中形成电路图案的工艺来制造半导体。

半导体器件的集成密度增加，并且晶片上允许的颗粒的数量和尺寸受到更严格的限制。在现有技术中，通过视觉检查、光学显微镜、颗粒计数器等测量诸如晶片表面上的划痕的精细缺陷或颗粒。

然而，由于视觉检查方法使用具有宽波长带的卤素灯作为光源，因此不可能观察到纳米尺寸的颗粒。此外，用光学显微镜测量的方法难以测量并且不仅需要长时间而且在确认缺陷位置时降低再现性，因为根据放大率的增加，可即时测量的面积会减小。

此外，在使用颗粒计数器设备的方法中，通过检测在晶片表面上照射激光之后反射的激光来测量颗粒的存在和位置。

然而，上述颗粒计数器设备具有以下问题。

当晶片设置在台上并且台旋转时，晶片以预定的角速度旋转。此时，当图1中的晶片表面的内部被称为“a”区域并且其外部被称为“b”区域时，晶片在“a”区域中具有角速度W_a和线速度V_a，晶片在“b”区域中具有角速度W_b和线速度V_b，并且激光可能在被照射在晶片表面上的同时在“a”区域和“b”区域中分别沿L_a和L_b方向移动。

此时，由于上述角速度W_a和W_b彼此相同但线速度V_a和V_b彼此不同，因此晶片在“b”区域中的旋转角速度V_b大于晶片在“a”区域中的旋转角速度V_a。因此，当在“a”区域和“b”区域中沿L_a和L_b方向移动的激光以相同的速度移动时，“b”区域暴露于激光的时间可能比晶片表面的“a”区域暴露于激光的时间短。

因此，当旋转一个晶片并且在晶片表面上照射激光时，激光照射到外部区域的时间比照射到内部区域的时间缩短，因此，外部区域中的颗粒的检测可能更难。

发明内容

实施例旨在提供一种用于测量晶片表面上的颗粒的装置和方法，其能够在晶片表面的整个区域中均匀地检测颗粒或缺陷。

实施例提供了一种用于测量晶片表面上的颗粒的方法，该方法包括：将晶片设置在台上并旋转台上的晶片；将激光照射在旋转晶片的表面中心的第一区域、第一区域和第三区域之间的第二区域、以及其边缘的第三区域；测量从晶片的第一至第三区域反射的激光，其中照射在第二区域中的激光的第二输出大于照射在第一区域中的激光的第一输出，并且照射在第三区域中的激光的第三输出大于照射在第二区域中的激光的第二输出。