[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910145555.8 | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN109659327B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 冯大伟;李月;赵宇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括位于衬底基板上呈阵列排布的多个像素区域,各所述像素区域包括:像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路;所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置,且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域;所述控制电路用于在对所述像素电极充电时,导通所述像素电极和所述补偿电极。通过补偿电极和控制电路的设置,在补偿电极与像素电极断开时,补偿电极和公共电极均与像素电极形成电容,电容值的增大可以有效保证像素电极上的电压稳定,从而提高显示质量。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,人们对显示面板的显示质量要求越来越高,然而受显示面板内部结构的影响,驱动显示的电压会产生变化,从而导致显示画面失真。
相关技术中的显示面板的阵列基板包括薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT),该TFT的源电极与栅极会形成寄生电容,漏电极与栅极也会形成寄生电容,在位于衬底基板上的栅线开启和关闭时,TFT的栅极会产生电压变化,由于电容的耦合效应,源电极和漏电极上的电压会发生变化,从而会导致像素电极上的电压发生变化,影响预期充电效果,导致画面失真。
因此,如何保证像素电极充电充分,提高画面显示质量是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,用于缓解相关技术中像素电极充电不充分,导致显示面板显示画面失真的问题。
因此,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括栅线、数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定出多个像素区域,还包括第一晶体管,所述第一晶体管的栅极与所述栅线相连,所述第一晶体管的第一极与所述数据线相连,所述第一晶体管的第二极与所述像素电极相连;各所述像素区域包括:位于衬底基板上的像素电极、公共电极、补偿电极和控制电路;
所述补偿电极与所述公共电极绝缘设置,且所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极存在交叠区域;
所述控制电路用于在所述像素电极的充电阶段,导通所述像素电极和所述补偿电极,在所述像素电极的非充电阶段时,断开所述像素电极与所述补偿电极的电连接。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述控制电路包括:开关单元;
所述开关单元的控制端与所述栅线相连,所述开关单元的信号输入端与所述像素电极相连,所述开关单元的信号输出端与所述补偿电极相连;
其中,在同一所述像素区域内的所述第一晶体管和所述开关单元与同一所述栅线相连。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述开关单元包括:第二晶体管;
所述第二晶体管的栅极与所述栅线相连,所述第二晶体管的第一极与所述像素电极相连,所述第二晶体管的第二极与所述补偿电极相连。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不交叠。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述补偿电极与所述公共电极同层设置。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述补偿电极的材料和所述公共电极的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的