[发明专利]降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体及制备方法在审
| 申请号： | 201910145731.8 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109873257A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李志忠;张波;王森;王永利;于义亮;王勇;薛军;李英奇;刘晶;吴经锋;蒲路;牛博;高峰;李伟 | 申请（专利权）人： | 国网陕西省电力公司电力科学研究院;清华大学;国网陕西省电力公司检修公司;国网陕西省电力公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01R4/66 | 分类号： | H01R4/66;H01R43/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710054 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接地 复合接地体 均流盘 制备 导体 冲击阻抗 电容补偿 接地装置 包覆层 接地体 包覆 金属接地材料 高介电常数 聚合物材料 基体两端 降低冲击 接地阻抗 介电常数 耐腐蚀性 高导电 电容 覆盖 | ||
1.一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体，其特征在于，包括导体(1)、包覆层(2)和均流盘(3)，所述包覆层(2)包覆在所述导体(1)外，所述均流盘(3)以导体(1)为中心，覆盖在包覆层(2)两端的外端面上，且所述均流盘(3)和包覆层(2)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体，其特征在于，所述包覆层(2)由导电聚合物制成，所述导电聚合物的电阻率为50Ωm～100Ωm，相对介电常数为10000～11000。
3.根据权利要求1所述的一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体，其特征在于，所述导体(1)为圆柱体，所述导体(1)的半径为1cm～3cm。
4.根据权利要求1所述的一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体，其特征在于，所述均流盘(3)的厚度为1mm～2mm。
5.一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在聚丙烯基体中分别添加占总体积20％～40％的炭黑以及占总体积5％～10％的CaCu3Ti4O12进行混炼，混炼温度为200℃～240℃，混炼时间为20min～40min，得到导电聚合物；
步骤2、将步骤1制备的导电聚合物包覆至金属导体(1)外，形成包覆层(2)，所述包覆层(2)的厚度为0.2m～0.3m；在室温下冷却后，即得到接地基体；
步骤3、在接地基体两端固定连接均流盘(3)，均流盘(3)覆盖接地基体的两端。
6.根据权利要求5所述的一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述炭黑的粒径为50nm～200nm，所述CaCu3Ti4O12的粒径为100nm～300nm。
7.根据权利要求5所述的一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述导体(1)为直径为1cm～3cm的圆柱体。
8.根据权利要求5所述的一种降低接地装置冲击阻抗的电容补偿型接地体的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述均流盘(3)采用钢或铜制成。
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