[发明专利]一种测试薄膜电极材料结构变化的方法

权利要求书

1.一种测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，

将循环后薄膜电极材料、未循环薄膜电极材料和聚合物纳米纤维薄膜电极材料分别进行冲洗并真空干燥，获得测试用第一、第二、第三薄膜电极材料；

将所述测试用第一、第二、第三薄膜电极材料采用太赫兹时域光谱仪分别进行检测，获得所述循环后、未循环和聚合物纳米纤维薄膜电极材料的第一、第二和第三样品时域脉冲信号，并在相同光谱条件下获得背景时域脉冲信号作为参考信号；

将所述第一、第二、第三样品时域脉冲信号分别与参考信号按照预定的计算方法计算获得所述循环后薄膜电极材料、未循环薄膜电极材料和聚合物纳米纤维薄膜材料的吸收率。

2.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述的薄膜电极材料包括电极活性物质和聚合物纳米纤维网。

3.根据权利要求2所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述的电极活性物质为锰酸锂、镍锰酸锂、钴酸锂、镍钴锰酸锂、二氧化钛、黑磷、天然石墨、人造石墨、石墨烯、氧化石墨烯、中间相碳微球、碳纤维、碳纳米管和钛酸锂中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述的薄膜电极材料厚度为50um-500um。

5.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述薄膜电极材料冲洗过程中采用的冲洗试剂为碳酸二甲酯。

6.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述薄膜电极材料干燥过程中的真空干燥条件具体包括：

干燥温度为30-60℃，干燥时间为2-8h。

7.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述的将所述测试用薄膜电极材料采用太赫兹时域光谱仪进行检测过程中，光谱条件为：

脉冲宽度为：0.8-1.5皮秒；

最大脉冲能量为：8-20纳焦耳；

重复频率为：5-10Hz；

角频率为：0.5-2Thz。

8.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述太赫兹时域光谱仪在样品测试时样品室湿度小于3％。

9.根据权利要求1所述的测试薄膜电极材料结构变化的方法，其特征在于，所述将所述第一、第二、第三样品时域脉冲信号分别与参考信号按照预定的计算方法计算获得所述循环后薄膜电极材料、未循环薄膜电极材料和聚合物纳米纤维薄膜材料的吸收率过程中预定的计算方法具体包括：

将所述第一、第二、第三样品时域脉冲信号E_sam和参考信号E_ref进行傅里叶变换，并分别将所述第一、第二、第三样品时域脉冲信号E_sam和参考信号E_ref通过公式计算获得所述循环后薄膜电极材料、未循环薄膜电极材料和聚合物纳米纤维薄膜材料的吸收率。