[发明专利]基片干燥装置在审
申请号: | 201910145973.7 | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN110265317A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 山下浩司;甲斐义广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 扩散室 盖部 基片干燥装置 整流部件 开口部 流体扩散 流体整流 流体 开闭 送出 送入 流出 扩散 流动 | ||
1.一种能够干燥基片的基片干燥装置,其特征在于,包括:
处理室,其具有用于送入送出所述基片的开口部;和
能够开闭所述开口部的盖部,
所述盖部包括:
用于使干燥用流体扩散的扩散室;和
整流部件,其用于将在所述扩散室扩散的流动的所述干燥用流体整流后使其从所述扩散室向所述处理室流出。
2.如权利要求1所述的基片干燥装置,其特征在于,包括:
用于供给所述干燥用流体的上游侧路径部;和
下游侧路径部,其用于将从所述上游侧路径部供给的所述干燥用流体导入所述扩散室的内部,
所述下游侧路径部设置于所述盖部,在所述盖部处于封闭所述开口部的封闭位置时与所述上游侧路径部连接,在所述盖部处于开放所述开口部的开放位置时与所述上游侧路径部分离。
3.如权利要求2所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述处理室在所述开口部的周围具有第一凸缘部,
所述盖部具有与所述第一凸缘部相对的第二凸缘部,
所述上游侧路径部在所述第一凸缘部具有与所述下游侧路径部连接的连接部,
所述下游侧路径部在所述第二凸缘部具有与所述上游侧路径部连接的连接部。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述开口部设置于所述处理室的上部,
所述处理室在比配置于所述处理室内的所述基片靠下方处具有所述干燥用流体的排气口。
5.如权利要求1~3中任一项所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述盖部包括使从所述扩散室流入所述整流部件的所述干燥用流体产生压力损失的压损部件。
6.如权利要求5所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述压损部件是多孔部件或者进行了冲孔加工的部件。
7.如权利要求1~3中任一项所述的基片干燥装置,其特征在于,包括:
能够使所述盖部升降的第一升降机构;
保持所述基片的保持部;
支承所述保持部的臂;和
能够使所述臂升降的第二升降机构,
所述盖部包括能够插通所述臂的插通口。
8.如权利要求7所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述盖部包括能够密封所述插通口与所述臂的间隙的密封机构。
9.如权利要求8所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述密封机构对所述插通口与所述臂的间隙供给气体以使所述间隙的压力比所述处理室内的压力高,由此密封所述间隙。
10.如权利要求7所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述基片干燥装置配置于贮存处理液的液体处理槽的上部,其包括控制所述第一升降机构和所述第二升降机构的控制部,
所述控制部进行第一送入处理、第二送入处理和送出处理,其中所述第一送入处理控制所述第一升降机构和所述第二升降机构,从而使所述盖部和所述臂下降,以将所述盖部配置在封闭所述开口部的封闭位置并将保持于所述保持部的所述基片配置在所述液体处理槽内;所述第二送入处理在利用贮存于所述液体处理槽的所述处理液对所述基片进行了液体处理后,仅使所述臂上升以将保持于所述保持部的所述基片配置在所述处理室内;所述送出处理在所述处理室内使用所述干燥用流体对所述基片进行了干燥处理后,使所述盖部和所述臂上升以将所述盖部配置在开放所述开口部的开放位置,并将保持于所述保持部的所述基片从所述处理室送出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910145973.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造