[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

半导体衬底，其包括元件范围和设置在所述元件范围之外的周边范围，在所述元件范围中，多个栅极沟槽设置在所述半导体衬底的上表面上；

上部电极，其设置在所述半导体衬底的所述上表面上；

下部电极，其设置在所述半导体衬底的下表面上；以及

栅电极，所述栅电极中的每个布置在每个栅极沟槽内并且通过栅极绝缘膜与所述半导体衬底电绝缘，其中

所述半导体衬底包括：

n型发射极区，其布置在所述元件范围内，连接至所述上部电极，并且与所述栅极绝缘膜接触；

p型体区，其布置在所述元件范围内，并且在所述n型发射极区下方与所述栅极绝缘膜接触；

p型深区，其从所述元件范围跨所述周边范围布置，从所述上表面分布到比每个栅极沟槽的下端深的位置，并且包含所述多个栅极沟槽中的最靠近所述周边范围设置的端栅极沟槽；

p型耐压区，其布置在所述周边范围内，并且从所述上表面分布到比所述p型深区的下端浅的位置；

n型漂移区，其从所述元件范围跨所述周边范围布置，在所述p型体区下方与所述栅极绝缘膜接触，通过所述p型体区与所述n型发射极区分隔开，从下方与所述p型深区接触，并从下方与所述p型耐压区接触；

p型集电极区，其布置在所述n型漂移区下方，并与所述下部电极接触；以及

n型阴极区，其布置在所述n型漂移区下方，并与所述下部电极接触，并且

所述p型深区内的p型杂质浓度在从所述p型体区朝向所述p型耐压区的方向上增加。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于

所述p型深区包括：高浓度区域，其布置在包括所述上表面的范围内；以及低浓度区域，其布置在所述高浓度区域下方，并且具有低于所述高浓度区域中的p型杂质浓度的p型杂质浓度，并且

所述低浓度区域内的所述p型杂质浓度在从所述p型体区朝向所述p型耐压区的所述方向上增加。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于

所述低浓度区域内的所述p型杂质浓度的最大值高于所述p型耐压区内的p型杂质浓度的最大值。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述p型耐压区是与所述p型深区相邻的降低表面电场区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述p型耐压区是环形保护环，其通过所述n型漂移区与所述p型深区分隔开，并围绕所述元件范围的周边。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述p型深区内的所述p型杂质浓度在从所述p型体区朝向所述p型耐压区的所述方向上连续地增加。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述p型深区内的所述p型杂质浓度在从所述p型体区朝向所述p型耐压区的所述方向上阶梯式地增加。