[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一半导体基材，具有多个凸台；

设置一第一介电层，该第一介电层具有多个分别设于所述凸台上的区域；

设置一阻障层，至少于该半导体基材的一上表面、该凸台的一第一侧面、该区域的一第二侧面、该第一介电层的一正面；

设置一导电层，具有一基底及多个突出部，该多个突出部接触该上表面、该第一侧面与该第二侧面，该基底连接所述突出部并设于该正面上，其中该基底具有一粗糙上表面；形成一第二介电层于该粗糙上表面；以及

去除该第二介电层及该导电层的一部分以显露该导电层的一平滑接触面。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中，该第二介电层及该导电层的该部分是使用化学机械平坦化去除。

3.如权利要求1所述的制备方法，其中，该第二介电层是完全去除，因此显露该导电层的完整接触面。

4.如权利要求1所述的制备方法，其中，该第二介电层是沉积至足以覆盖该粗糙上表面的厚度。

5.如权利要求1所述的制备方法，其中，该导电层是以一步骤的化学气相沉积形成。

6.如权利要求1所述的制备方法，其中，该基底与所述突出部的晶相是一致的。

7.如权利要求1所述的制备方法，其中，该导电层的晶粒尺寸实质上介于5至100纳米的范围中。

8.如权利要求1所述的制备方法，其中，所述凸台及所述区域共同定义一接触孔。

9.如权利要求8所述的制备方法，其中，该导电层是沉积至足以填充该接触孔的厚度。

10.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一半导体基材；

设置一第一介电层于该半导体基材上；

形成一接触孔，穿透该第一介电层至该半导体基材；

形成一阻障层于该第一介电层之上与该接触孔的中；

形成一导电层，以覆盖该阻障层并填充该接触孔而形成一粗糙上表面；

形成一第二介电层于该粗糙上表面上；以及

使用化学机械平坦化完全去除该第二介电层。

11.如权利要求10所述的制备方法，其中，去除该第二介电层直到该导电层的一平滑接触面显露。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中，该导电层的晶粒尺寸实质上介于5至100纳米的范围中。