[发明专利]阵列基板、显示装置及制备方法、拼接显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；所述衬底上设置有通孔，所述衬底的材料为刚性材料；

设置在所述通孔内的填充部，所述填充部包括凹陷结构；所述凹陷结构为通孔；所述填充部的材料为柔性材料；所述填充部仅位于所述衬底上设置的通孔内；

设置在所述填充部上的导电图案，所述导电图案至少部分位于所述凹陷结构中；所述填充部的靠近所述导电图案的表面、与所述衬底的靠近所述导电图案的表面平齐；

设置在所述衬底背离所述导电图案一侧的连接部；所述连接部至少部分位于所述凹陷结构内，且与所述导电图案直接接触；以及，

设置在所述导电图案背离所述衬底一侧的膜层；所述膜层包括栅线、数据线、平坦层中的至少一者；所述导电图案为三层叠层结构，所述三层叠层结构的中间层的材料为铝，两侧的材料为钛。

2.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1所述的阵列基板；

还包括：设置在所述阵列基板中连接部背离衬底一侧的芯片，所述芯片与所述连接部电连接。

3.一种拼接显示装置，其特征在于，包括多个如权利要求2所述的显示装置。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成通孔；所述衬底的材料为刚性材料；

在所述衬底上形成的通孔内填充柔性材料，对填充在所述衬底上形成的通孔内的柔性材料进行处理，以形成填充部；其中，所述填充部仅位于所述衬底上形成的通孔内；所述填充部包括凹陷结构，所述凹陷结构为通孔；

在所述填充部上形成导电图案；其中，所述导电图案至少部分位于所述凹陷结构中；所述填充部的靠近所述导电图案的表面、与所述衬底的靠近所述导电图案的表面平齐；

在所述衬底背离所述导电图案的一侧形成连接部；其中，所述连接部至少部分位于所述凹陷结构内，且与所述导电图案直接接触；以及，

在所述导电图案背离所述衬底的一侧形成膜层；其中，所述膜层包括栅线、数据线、平坦层中的至少一者；所述导电图案为三层叠层结构，所述三层叠层结构的中间层的材料为铝，两侧的材料为钛。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成通孔，包括：

对所述衬底上待形成通孔区域进行改性，以使所述衬底上所述待形成通孔区域相对于其它区域易于被刻蚀液刻蚀；

将所述衬底放置于所述刻蚀液中，通过所述刻蚀液刻蚀，在所述待形成通孔区域形成通孔。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述将所述衬底放置于所述刻蚀液中之前，所述在衬底上形成通孔还包括：

在所述衬底的一侧形成防刻蚀保护膜。

7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成通孔，包括：

在所述衬底的相对两侧中至少一侧除待形成通孔区域以外的其它区域形成防刻蚀保护膜；

将所述衬底放置于刻蚀液中，通过所述刻蚀液刻蚀，在所述待形成通孔区域形成通孔。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述将所述衬底放置于所述刻蚀液中之前，所述在衬底上形成通孔还包括：

对所述衬底上所述待形成通孔区域进行改性，以使所述衬底上所述待形成通孔区域相对于其它区域易于被所述刻蚀液刻蚀。

9.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述填充部上形成导电图案包括：

在所述填充部上溅射导电薄膜，对所述导电薄膜进行构图形成导电图案。

10.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1所述的阵列基板；所述阵列基板中的凹陷结构为通孔，且露出所述导电图案；所述连接部至少部分位于所述凹陷结构内，且与所述导电图案直接接触；所述填充部仅位于所述衬底上设置的通孔内；所述填充部的靠近所述导电图案的表面、与所述衬底的靠近所述导电图案的表面平齐；以及，

在所述连接部远离所述衬底的一侧绑定芯片，所述芯片与所述连接部电连接。