[发明专利]显示器结构有效
申请号: | 201910147176.2 | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN109920929B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 汪衎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 结构 | ||
1.一种显示器结构,其特征在于:所述显示器结构包含:
一基板;
一挡墙,设置于所述基板上;
一第一薄膜层,设置于所述基板上并覆盖所述挡墙;
一第二薄膜层,设置于所述基板上,所述第二薄膜层与所述挡墙具有一第一间隙;及
一第三薄膜层,设置于所述基板、所述第一薄膜层及所述第二薄膜层上,其中当所述第三薄膜层设置于所述第一薄膜层及第二薄膜层时,
其中在第一间隙处,所述第三薄膜层与所述第一薄膜层相接触,及
其中所述第三薄膜层对所述第一薄膜层具有一第一扩散速度及所述第三薄膜层对所述第二薄膜层具有一第二扩散速度,所述第一扩散速度低于所述第二扩散速度,及所述第一薄膜层的一材料与所述第二薄膜层的一材料不同。
2.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于:所述显示器结构更包含:
一发光区,设置于所述基板上,
其中所述第二薄膜层设置于所述第一薄膜层上;及
其中所述第一薄膜层覆盖所述发光区并连续延伸跨过所述挡墙,所述第一薄膜层于所述挡墙处形成一阶梯部,及所述第一间隙存在于所述阶梯部的一第一边缘与所述第二薄膜层的一第二边缘之间。
3.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于:所述显示器结构更包含:
一发光区,设置于所述基板上,
其中所述第一薄膜层覆盖所述挡墙并向所述发光区延伸,所述第一薄膜层于所述挡墙处形成一阶梯部,及所述第一薄膜层与所述发光区之间距有一第二间隙;
其中所述第一间隙存在于所述阶梯部的一第一边缘与所述第二薄膜层的一第二边缘之间;及
其中所述第二薄膜层覆盖所述发光区并向所述第一薄膜层延伸,及一部分的所述第二薄膜层填入所述第二间隙中,并延伸覆盖在所述第一薄膜层上。
4.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于:所述显示器结构更包含:
一发光区,设置于所述基板上,
其中所述第二薄膜层覆盖所述发光区并向所述挡墙延伸,并与所述挡墙之间形成所述第一间隙;及
其中所述第一薄膜层覆盖所述挡墙并向所述发光区延伸,及一部分的所述第一薄膜层填入所述第一间隙并继续延伸覆盖在所述第二薄膜层上。
5.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于:所述显示器结构更包含:
一发光区,设置于所述基板上,
其中所述第一薄膜层覆盖所述发光区并连续延伸跨过所述挡墙,所述第一薄膜层于所述挡墙处形成一阶梯部,及
其中所述第二薄膜层为所述第一薄膜层通过一氧离子处理后的一含氧处理层,所述第二薄膜层完全覆盖所述发光区;及
其中所述第一间隙存在于所述阶梯部的一第一边缘与所述第二薄膜层的一第二边缘之间。
6.一种显示器结构,其特征在于:所述显示器结构包含:
一基板;
一挡墙,设置于所述基板上;
一第一薄膜层,设置于所述基板上;
一第二薄膜层,设置于所述基板上,所述第二薄膜层与所述挡墙具有一第一间隙;及
一第三薄膜层,设置于所述基板、所述第一薄膜层及所述第二薄膜层上,
其中所述第三薄膜层对所述第一薄膜层具有一第一扩散速度及所述第三薄膜层对所述第二薄膜层具有一第二扩散速度,所述第一扩散速度低于所述第二扩散速度,及
其中所述第一薄膜层具有一第一氧含量;及所述第二薄膜层具有一第二氧含量,其中所述第二氧含量大于所述第一氧含量。
7.如权利要求6所述的显示器结构,其特征在于:所述显示器结构更包含:
一发光区,设置于所述基板上,
其中所述第二薄膜层设置于所述第一薄膜层上;及
其中所述第一薄膜层覆盖所述发光区并连续延伸跨过所述挡墙,所述第一薄膜层于所述挡墙处形成一阶梯部,及所述第一间隙存在于所述阶梯部的一第一边缘与所述第二薄膜层的一第二边缘之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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