[发明专利]OLED显示装置及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910147724.1 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109801955A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 王雷;鲜于文旭;龚文亮;黄晓雯;陈泽升 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 绝缘层 第二金属层 黑色矩阵 第一金属层 硬掩膜 色阻 像素 开口 强光 产品成本 反光 光罩 制程 贯穿 制作
【权利要求书】:

1.一种OLED显示装置,其特征在于,包括OLED显示面板(10)、设于OLED显示面板(10)上的第一绝缘层(20)、设于第一绝缘层(20)上的第一金属层(30)、设于第一金属层(30)及第一绝缘层(20)上的第二绝缘层(40)、设于第二绝缘层(40)上的第二金属层(50)、设于第二金属层(50)上的黑色矩阵(60)、设于黑色矩阵(60)上的硬掩膜(70)及设于OLED显示面板(10)上的多个色阻(80);

所述OLED显示面板(10)包括多个子像素(11);多个开口(51)贯穿所述第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70)分别对应多个子像素(11)而设置,所述多个色阻(80)分别位于多个开口(51)内。

2.如权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述多个色阻(80)设于第二绝缘层(40)上;或者,

所述第二绝缘层(40)设有分别位于多个子像素(11)上方的多个第一孔洞(41),多个开口(51)分别位于多个第一孔洞(41)上方;所述多个色阻(80)设于第一绝缘层(20)上且分别位于多个第一孔洞(41)内;或者,

所述第二绝缘层(40)及第一绝缘层(20)设有分别位于多个子像素(11)上方的多个第二孔洞(21),多个开口(51)分别位于多个第二孔洞(21)上方;所述多个色阻(80)设于OLED显示面板(10)上且分别位于多个第二孔洞(21)内。

3.如权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,还包括设于硬掩膜(70)及多个色阻(80)上的保护层(90)。

4.如权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述硬掩膜(70)的材料为氮化硅;

所述第一金属层(30)透明,所述第一金属层(30)的结构为两层钛层夹一层铝层;

所述第二金属层(50)透明,所述第二金属层(50)的结构为两层钛层夹一层铝层;

所述第一绝缘层(20)及第二绝缘层(40)的材料为氮化硅;

所述第二绝缘层(40)设有位于第一金属层(30)上方的过孔(42),所述第二金属层(50)经所述过孔(42)与第一金属层(30)接触。

5.一种OLED显示装置的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1、提供OLED显示面板(10);

所述OLED显示面板(10)包括多个子像素(11);

步骤S2、在OLED显示面板(10)上形成第一绝缘层(20),在第一绝缘层(20)上形成第一金属层(30),在第一金属层(30)及第一绝缘层(20)上形成第二绝缘层(40);

步骤S3、在第二绝缘层(40)上依次形成金属材料层(59)、黑色矩阵材料层(69)、硬掩膜材料层(79),对金属材料层(59)、黑色矩阵材料层(69)及硬掩膜材料层(79)进行图案化形成由下至上依次设于第二绝缘层(40)上的第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70);多个开口(51)贯穿所述第二金属层(50)、黑色矩阵(60)及硬掩膜(70)分别对应多个子像素(11)而设置;

步骤S4、在OLED显示面板(10)上于多个开口(51)内形成多个色阻(80)。

6.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中,在第二绝缘层(40)上于多个开口(51)内形成多个色阻(80);或者,

所述步骤S2在形成第二绝缘层(40)之后在第二绝缘层(40)上形成分别位于多个子像素(11)上方的第一孔洞(41);多个开口(51)分别位于多个第一孔洞(41)上方;所述步骤S4中,在第一绝缘层(20)上于多个第一孔洞(41)内形成多个色阻(80);或者,

所述步骤S2在形成第二绝缘层(40)之后在第二绝缘层(40)及第一绝缘层(20)上形成分别位于多个子像素(11)上方的第二孔洞(21);多个开口(51)分别位于多个第二孔洞(21)上方;所述步骤S4中,在OLED显示面板(10)上于多个第二孔洞(21)内形成多个色阻(80)。

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