[发明专利]半导体存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器，具备：

基板，其具有第一面；

存储器元件，其安装在所述第一面上；

控制器，其安装在所述第一面上；以及

遮蔽层，其设置在所述第一面上，位于所述第一面与所述控制器的至少一部分之间，抑制α射线的射入。

2.一种半导体存储器，具备：

基板，其具有第一面；

存储器元件，其安装在所述第一面上；

控制器，其安装在所述第一面上；以及

遮蔽层，其经由粘接层安装在所述第一面上，位于所述第一面与所述控制器的至少一部分之间，抑制α射线的射入。

3.一种半导体存储器，具备：

基板，其具有第一面、该第一面的相反侧的第二面、位于所述第一面与所述第二面之间且含有辐射α射线的成分的第一层、以及位于所述第一面与所述第一层之间且遮蔽α射线的遮蔽层；

存储器元件，其安装在所述第一面上；以及

控制器，其在与所述遮蔽层在所述第一面的法线方向上重叠的位置安装在所述第一面上。

4.一种半导体存储器，具备：

基板，其具有第一面；

存储器元件，其安装在所述第一面上；以及

控制器，其具有面向所述第一面的第三面和设置在该第三面上且抑制α射线的射入的遮蔽层，该控制器以该遮蔽层面向所述第一面的方式安装在该第一面上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储器，

所述遮蔽层是厚度为23微米以上的铜薄膜。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储器，

所述控制器包含设置有随机存取存储器的随机存取存储器区域，

所述遮蔽层在所述第一面的法线方向上与所述随机存取存储器区域重叠。

7.一种半导体存储器的制造方法，

将存储器元件安装在基板的第一面上，

将遮蔽α射线的遮蔽层设置在所述第一面上，

将控制器以其至少一部分与所述遮蔽层重叠的方式安装在所述第一面上。

8.一种半导体存储器的制造方法，

将存储器元件安装在基板的第一面上，

经由粘接层将遮蔽α射线的遮蔽层设置在所述第一面上，

将控制器以其至少一部分与所述遮蔽层重叠的方式安装在所述第一面上。

9.一种半导体存储器的制造方法，

将存储器元件安装在具有第一面、该第一面的相反侧的第二面、第一层、以及遮蔽层的基板的所述第一面上，

将控制器以在所述第一面的法线方向上与所述遮蔽层重叠的方式安装在所述第一面上，

所述第一层位于所述第一面与所述第二面之间且含有辐射α射线的成分，

所述遮蔽层位于所述第一面与所述第一层之间且遮蔽α射线。

10.一种半导体存储器的制造方法，

将存储器元件安装在基板的第一面上，

将具有第三面和设置在该第三面上且遮蔽α射线的遮蔽层的控制器以所述遮蔽层面向所述第一面的方式安装在所述第一面上。