[发明专利]声表面波器件及其制备方法

权利要求书

1.一种声表面波器件制备方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成沟槽阵列；

热退火使所述沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且所述半导体基底在所述空腔上方连接起来，将所述空腔封闭；及

在所述空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与所述压电薄膜连接的金属电极，所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜形成至少一个叉指换能结构，各所述叉指换能结构包括第一叉指结构和第二叉指结构，所述第一叉指结构包括第一公共端以及自所述第一公共端向同一侧延伸形成的多个第一叉指条，所述第二叉指结构具有第二公共端以及自所述第二公共端向同一侧延伸形成的多个第二叉指条，所述第一叉指条和所述第二叉指条交错且间隔设置，各所述第一叉指结构和各所述第二叉指结构上均形成有所述金属电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为0.6μm～1μm，所述沟槽的深度范围为1μm～10μm，相邻沟槽之间的间隔范围为0.6μm～1μm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热退火为在氢气环境中热退火，所述热退火的温度为1000℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽阵列中最外围沟槽之间的间距大于中间沟槽的间距。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空腔上方的半导体基底厚度范围为1μm～2μm。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：

对所述半导体基底进行晶圆级键合封装，以将所述压电薄膜和所述金属电极封装在内。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体基底为硅片。

8.一种声表面波器件，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底内部形成有一封闭空腔；

压电薄膜与金属电极，所述压电薄膜形成于所述空腔上方的半导体基底上，所述压电薄膜包括压电材料，所述金属电极与所述压电薄膜连接；所述压电薄膜形成至少一个叉指换能结构，各所述叉指换能结构包括第一叉指结构和第二叉指结构，所述第一叉指结构包括第一公共端以及自所述第一公共端向同一侧延伸形成的多个第一叉指条，所述第二叉指结构具有第二公共端以及自所述第二公共端向同一侧延伸形成的多个第二叉指条，所述第一叉指条和所述第二叉指条交错且间隔设置，各所述第一叉指结构和各所述第二叉指结构上均形成有所述金属电极。

9.如权利要求8所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电薄膜形成至少一个叉指换能结构。