[发明专利]非易失性文件更新介质

说明书

大容量存储装置的实施例可以包括第一非易失性介质、与第一非易失性介质相比提供相对较大的写粒度的第二非易失性介质，以及通信地耦合到第一和第二非易失性介质的逻辑，所述逻辑用于基于来自操作系统的指示将访问请求指向第一非易失性介质和第二非易失性介质中的一个。主机计算装置的实施例可以包括处理器、通信地耦合到处理器的存储器，以及通信地耦合到处理器的逻辑，所述逻辑用于基于针对文件系统相关的访问请求的粒度大小来向大容量存储设备提供针对文件系统相关的访问请求的指示。公开并要求保护其他实施例。

技术领域

实施例一般涉及存储系统。更具体地，实施例涉及非易失性文件更新介质。

背景技术

计算系统可以包括具有处理器、系统存储器和各种外围设备的主机。示例计算系统可以包括诸如台式计算机、膝上型计算机、平板计算机等的个人计算机，以及诸如服务器的企业计算机。许多这样的计算系统可以包括连接的大容量存储设备，例如硬盘驱动器(HDD)和/或固态驱动器(SSD)。

附图说明

通过阅读以下说明书和所附权利要求并参考以下附图，实施例的各种优点对于本领域技术人员而言将显而易见，其中：

图1是根据实施例的电子处理系统的示例的框图；

图2是根据实施例的大容量存储装置的示例的框图；

图3是根据实施例的半导体装置的示例的框图；

图4是根据实施例的控制存储的方法的示例的流程图。

图5是根据实施例的主机计算装置的示例的框图；

图6是根据实施例的半导体装置的另一示例的框图；

图7是根据实施例的管理存储的方法的示例的流程图；以及

图8是根据实施例的电子处理系统的另一示例的框图。

具体实施方式

本文描述的各种实施例可以包括存储器组件和/或到存储器组件的接口。这样的存储器组件可以包括易失性和/或非易失性存储器。非易失性存储器可以是不需要电力来维持由介质存储的数据状态的存储介质。在一个实施例中，存储器设备可以包括块可寻址存储器设备，诸如基于NAND或NOR技术的那些。存储器设备还可以包括下一代非易失性设备，诸如三维(3D)交叉点存储器设备、或其他字节可寻址的就地写非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储器设备可以是或可以包括使用硫属化物玻璃的存储器设备、多阈值级别NAND闪存、NOR闪存、单级或多级相变存储器(PCM)、电阻存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、反铁电存储器、采用忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器、包括金属氧化物基极、氧空位基极的电阻存储器和导电桥随机存取存储器(CB-RAM)、或自旋转移力矩(STT)-MRAM、基于自旋电子磁结存储器的器件、基于磁隧道结(MTJ)的器件、基于DW(畴壁)和SOT(自旋轨道转移)的器件、基于晶闸管的存储器设备、或任何上述的组合、或其他存储器。存储器设备可以指管芯本身和/或封装的存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可符合联合电子设备工程委员会(JEDEC)颁布的一个或多个标准，例如JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其他合适的标准(此处引用的JEDEC标准可在jedec.org上获得)。