[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201910149068.9 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109943814B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C5/04;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 形成 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种含C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在通过激光显微镜评价的与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe-Pt合金相的与溅射面垂直的方向的平均厚度为10μm以上且100μm以下，Fe-Pt合金相的与溅射面水平的方向的平均长度为20μm以上且400μm以下，所述Fe-Pt合金相的平均厚度为比所述Fe-Pt合金相的平均长度更小的值。
2.如权利要求1所述的含C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在通过激光显微镜评价的与溅射面水平的截面的抛光面中，Fe-Pt合金相的平均长度为20μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，Pt含量为5摩尔％以上且60摩尔％以下。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，C含量为10摩尔％以上且70摩尔％以下。
5.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自由B、Ru、Ag、Au、Cu组成的组中的一种以上元素作为添加元素。
6.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
7.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，C含量为10摩尔％以上且70摩尔％以下。
8.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自由B、Ru、Ag、Au、Cu组成的组中的一种以上元素作为添加元素。
9.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自由B、Ru、Ag、Au、Cu组成的组中的一种以上元素作为添加元素。
10.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
11.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
12.根据权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷客斯金属株式会社，未经捷客斯金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910149068.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
