[发明专利]GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法

说明书

本发明提供了一种GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法，制备方法依次包括下列步骤：1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaAs基光电器件外延层；2)，在所述GaAs基光电器件外延层上制备多个第一电极，将所述多个第一电极中的任意相邻两个第一电极之间的GaAs基光电器件外延层去除以形成多个刻蚀间道；3)，将过渡基板粘附在所述多个第一电极的表面上；4)，移除所述非金属衬底；5)，在所述GaAs基光电器件外延层的表面上制备具有至少一个第二电极的第二电极层；6)，在所述第二电极层的表面上制备金属基板组件；7)，移除所述过渡基板；步骤8)，分片。本发明的制备方法提高了成品率，降低了工艺成本。

技术领域

本发明涉及光电器件，具体涉及一种GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法。

背景技术

随着半导体光电器件的发展，其在照明、显示、探测等领域得到了广泛应用。目前利用分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长的光电器件已经非常成熟，其内量子效率可达到90％以上。

但是，光电器件在实现电能(光能)转化为光能(电能)时，只有一部分电能和光能互为转换，其余的能量都会转化热能，从而使光电器件的温度升高。而且目前光电器件的衬底为半导体材料，其散热性较差，热量无法及时导出。尤其在大电流注入时，这严重影响了光电器件的发光效率。最终导致光电转换效率较低，严重限制了大功率光电器件的发展。

目前，大功率的光电器件主要采用圆片级键合工艺技术来连接外延片与散热衬底。但是圆片级键合技术存在如下弊端：1、需要高温、高压条件，容易引入损伤应力，降低器件性能，甚至使外延片翘曲造成碎裂；2、对外延片的表面平整度、洁净度要求高，增大了制备工艺难度；3、外延片表面的颗粒易对外延片造成大面积损伤，降低成品率；4、后续对外延片进行切割分离时，难度大、成本高。

发明内容

针对现有技术存在的上述技术问题，本发明提供了一种GaAs基光电器件阵列的制备方法，所述制备方法依次包括下列步骤：

步骤1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaAs基光电器件外延层；

步骤2)，在所述GaAs基光电器件外延层上表面制备多个第一电极，将所述多个第一电极中的任意相邻两个第一电极之间的GaAs基光电器件外延层去除以形成多个刻蚀间道；

步骤3)，将过渡基板粘附在所述多个第一电极的表面上；

步骤4)，移除所述非金属衬底；

步骤5)，在所述GaAs基光电器件外延层的下表面上制备具有至少一个第二电极的第二电极层；

步骤6)，在所述第二电极层的表面上制备金属基板组件，所述金属基板组件上具有多个隔离墙；

步骤7)，移除所述过渡基板并清洗，使得所述多个金属基板组件中相邻的金属基板组件之间具有分离槽；

步骤8)，沿所述分离槽对所述GaAs基光电器件进行分片。

本发明提供了一种GaAs基光电器件阵列的制备方法，所述制备方法依次包括下列步骤：

步骤1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaAs基光电器件外延层；

步骤2)，在所述GaAs基光电器件外延层上表面制备具有至少一个第一电极的第一电极层，在所述第一电极层的表面上制备金属基板组件，所述金属基板组件上具有多个隔离墙；

步骤3)，将过渡基板粘附在所述金属基板组件的表面上；

步骤4)，移除所述非金属衬底；

步骤5)，在所述GaAs基光电器件外延层的下表面上制备多个第二电极；