[发明专利]一种银/多孔金字塔硅表面增强拉曼基底的制备方法

权利要求书

1.一种银/多孔金字塔硅表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1：将硅片放入RCA-1溶液中超声清洗30min，备用；

步骤2：室温下，将NaOH溶液加入烧杯中，对经步骤1清洗后的硅片在一定温度下进行化学抛光；

步骤3：将NaOH溶液和异丙醇依次加入到烧杯中，对经步骤2化学抛光处理后的硅片在一定温度下进行刻蚀，随后使用去离子水清洗，备用；

步骤4：将步骤3刻蚀后的硅片依次浸入HF/AgNO₃混合溶液和HF/H₂O₂混合溶液中，随后使用浓硝酸浸泡、去离子水清洗，得到多孔金字塔硅；

步骤5：将多孔金字塔硅浸入HF/AgNO₃混合溶液中反应一定时间后清洗、干燥，即可得到银/多孔金字塔硅表面增强拉曼基底。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述硅片为P型、低电阻率单晶硅片，电阻率为0.0015Ω.cm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤1中，所述RCA-1溶液是由28％的NH₄OH溶液、30％的H₂O₂溶液和水按体积比1:1:5的比例混合构成。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2中，所述NaOH溶液的浓度为8.91M。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2中，化学抛光的温度为85℃，化学抛光的时间为3min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤3中，所述NaOH溶液的浓度为0.64M；NaOH溶液和IPA以体积比16:1混合。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤3中，刻蚀温度为80-90℃，刻蚀时间为15-30min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤4中，所述HF/AgNO₃混合溶液中HF和AgNO₃的浓度分别为4.6M和5mM，浸入HF/AgNO₃混合溶液中的反应时间为3min；所述HF/H₂O₂混合溶液中HF和H₂O₂的浓度分别为4.6M和0.1-0.2M，浸入HF/H₂O₂混合溶液中得反应时间为3-10min。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤5中，所述HF/AgNO₃混合溶液中HF和AgNO₃的浓度分别为0.5M和0.5-1.25mM，反应时间为0.5-10min。