[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910149287.7 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109920737B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;宋李梅;黄苒;赵博华;苏畅;李浩;黄振兴;杜寰 | 申请（专利权）人： | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 高青 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括
形成衬底以及位于衬底上方的外延层，所述衬底与所述外延层具有第一导电类型；
在所述外延层中的一侧形成下沉区，所述下沉区至少部分接触所述衬底，所述下沉区具有第一导电类型；
在所述外延层中形成具有第一导电类型的埋层，所述埋层覆盖所述下沉区；
在所述外延层上方依次形成栅氧化层以及栅极；
在所述栅极下方形成彼此靠近的具有第二导电类型的漂移区和第一导电类型的沟道区；
分别在所述沟道区形成源区，在所述漂移区形成漏区，所述源区通过所述下沉区与所述衬底连接，
其中，所述埋层位于所述沟道区下方，所述埋层形成于所述栅极靠近源区的一侧；
所述埋层靠近所述源区一侧，所述埋层与所述栅极靠近所述源区的一侧对齐。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述LDMOS器件中的沟道区与所述漂移区连接的区域被所述栅极覆盖。
3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述沟道区和所述漂移区分别与所述栅极之间通过栅氧化层隔开。
4.根据权利要求3所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述栅氧化层 的上方以及所述栅极的两侧形成栅极侧墙。
5.根据权利要求4所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述源区、所述漏区以及所述栅极上形成钴硅化物；
在所述栅极上方的钴硅化物表面和所述栅极侧墙的外侧形成连续的介质层，所述介质层覆盖至少部分所述漂移区；以及
在所述介质层上形成金属法拉第杯层，所述介质层将所述金属法拉第杯层与所述栅极隔开。
6.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述沟道区与所述漂移区通过光刻进行离子注入并结合高温推进法形成。
7.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述栅极包括多晶硅栅极，所述栅极的厚度为
8.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述埋层的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度。
9.根据权利要求8所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述埋层的掺杂浓度低于所述源区的掺杂浓度。
10.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件根据权利要求 1-9任一项所述的LDMOS器件的制造方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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