[发明专利]锑化铟薄膜太赫兹超表面及其热调谐方法、制备方法有效
| 申请号： | 201910149416.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109683213B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨大全;张超;李小刚;兰楚文 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 张函;王春伟 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锑化铟薄膜 调谐 共振频率 制备 表面设置 表面制备 光电制造 介电常数 矩形基板 三层结构 太赫兹波 结构层 柱阵列 应用 | ||
1.一种基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，包括：矩形基板层，柱阵列结构层，以及锑化铟薄膜，其中，所述柱阵列结构层中的各柱状阵列结构体排列于所述矩形基板层上，所述锑化铟薄膜覆盖于所述柱状阵列结构体的上表面以及所述矩形基板层的上表面。
2.根据权利要求1所述的基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，所述矩形基板层的材料为聚二甲基硅氧烷，所述柱阵列结构层的材料为硅。
3.根据权利要求2所述的基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，所述矩形基板层的厚度为6～10μm；所述柱状阵列结构体的半径为60～70μm，所述柱状阵列结构体的厚度为55～65μm；所述锑化铟薄膜的厚度为110～600nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，所述太赫兹超表面的共振频率随温度升高而增加。
5.根据权利要求1-3任一项所述的基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，所述太赫兹超表面的共振频率随所述锑化铟薄膜厚度的增加而增加。
6.一种基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面的热调谐方法，应用于如权利要求1-5任一项所述的基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，包括：
将所述太赫兹超表面加热至不同的温度；
利用太赫兹波照射处于不同温度下的所述太赫兹超表面，得到不同的共振频率；
基于所述不同的共振频率，确定所述太赫兹超表面的工作频率范围。
7.根据权利要求6所述的热调谐方法，其特征在于，所述太赫兹波的照射方法为垂直照射于所述太赫兹超表面的表面。
8.一种基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面的制备方法，其特征在于，包括：
在矩形基板层上铺设硅层；
利用光刻法在所述硅层上刻蚀出柱状阵列结构体，得到柱阵列结构层；
在所述矩形基板层和所述柱阵列结构层的上表面镀锑化铟，形成锑化铟薄膜，得到所述基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述矩形基板层的厚度为6～10μm；所述柱状阵列结构体的半径为60～70μm，所述柱状阵列结构体的厚度为55～65μm；所述锑化铟薄膜的厚度为110～600nm。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述矩形基板层的材料为聚二甲基硅氧烷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京邮电大学，未经北京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910149416.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
