[发明专利]包括感测引线的化合物半导体装置

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

引线框架，所述引线框架包括芯片垫和多个引线；

化合物半导体芯片，所述化合物半导体芯片布置在所述芯片垫的第一表面上并包括栅极、源极和漏极；

封装材料，所述封装材料覆盖所述化合物半导体芯片和所述芯片垫，其中，所述芯片垫的与所述第一表面相反的第二表面从所述封装材料暴露；

所述引线框架的第一引线，所述第一引线电耦接至所述栅极；

所述引线框架的第二引线，所述第二引线电耦接至所述源极；

所述引线框架的第三引线，所述第三引线电耦接至所述源极，其中，所述第三引线配置成能够向栅极驱动器电路提供代表所述源极的电位的感测信号，其中，所述栅极驱动器电路配置成能够基于所述感测信号驱动所述栅极；以及

所述引线框架的第四引线，所述第四引线电耦接至所述漏极。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一引线、所述第二引线、所述第三引线和所述第四引线从所述封装材料的同一表面突出，并且该表面垂直于所述芯片垫的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述芯片垫与所述第一引线、所述第二引线、所述第三引线和所述第四引线中的至少一个布置在不同的层级上，并且所述不同的层级之间的距离位于从0.5毫米至5.0毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述化合物半导体芯片包括功率HEMT，所述功率HEMT具有所述栅极、源极和漏极。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极配置成能够接收基于没有考虑感测信号的电压和考虑了感测信号的校正后的电压的控制信号。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极配置成能够接收考虑了由感测信号所表示的化合物半导体芯片中的电流的控制信号，使得所述装置的一个或多个部件的操作响应于所述控制信号调节，以使得电流下降至一阈值以下。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅极配置成能够接收考虑了由感测信号所表示的化合物半导体芯片的温度的控制信号，使得所述装置的一个或多个部件的操作响应于所述控制信号调节，以使得温度下降至一阈值以下。

8.一种装置，所述装置包括：

化合物半导体芯片，所述化合物半导体芯片包括控制电极、第一负载电极和第二负载电极；

第一引线，所述第一引线电耦接至所述控制电极；

第二引线，所述第二引线电耦接至所述第一负载电极；

第三引线，所述第三引线电耦接至所述化合物半导体芯片的一电极，其中，所述第三引线配置成能够提供来自该电极的感测信号，其中，所述感测信号是基于所述化合物半导体芯片的电位、所述化合物半导体芯片的电流、和所述化合物半导体芯片的温度中的至少一种；以及

第四引线，所述第四引线电耦接至所述第二负载电极。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第三引线配置成能够电耦接至电压测量单元，所述电压测量单元配置成能够测量电位。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第三引线配置成能够电耦接至一电子部件，该电子部件包括分流器和二极管中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述化合物半导体芯片包括功率HEMT，所述功率HEMT具有所述控制电极、第一负载电极和第二负载电极。

12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述控制电极配置成能够接收基于没有考虑感测信号的电压和考虑了感测信号的校正后的电压的控制信号。