[发明专利]半导体装置和显示装置

说明书

本技术提供一种半导体装置，其具备：基板，包含树脂材料，并且具有对置的第一面和第二面；晶体管，设置在基板的第一面，并且具有半导体层和一对源·漏电极，一对源·漏电极与半导体层电连接且以分别被施加源极电位、漏极电位的方式构成；导电膜，设置在基板的第二面；以及电压施加部，构成为：向导电膜供给等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个。

技术领域

本技术涉及一种在基板上具有晶体管的半导体装置，以及使用该半导体装置的显示装置。

背景技术

近些年，薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)应用于各种领域的电子设备(例如，参照专利文献1)。薄膜晶体管例如设置在基板上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-49568号公报

发明内容

在包括基板和晶体管的半导体装置中，期望能够抑制晶体管的可靠性降低。

期望提供一种可以抑制晶体管的可靠性降低的半导体装置，以及使用该半导体装置的显示装置。

本技术的一种实施方式的半导体装置具备：基板，包含树脂材料，并且具有对置的第一面和第二面；晶体管，设置在基板的第一面，并且具有半导体层和一对源·漏电极，一对源·漏电极与半导体层电连接且以分别被施加源极电位、漏极电位的方式构成；导电膜，设置在基板的第二面；以及电压施加部，构成为：向导电膜供给等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个。

本技术的一种实施方式的显示装置具备：基板，包含树脂材料，并且具有对置的第一面和第二面；晶体管，设置在基板的第一面，并且具有半导体层和一对源·漏电极，一对源·漏电极与半导体层电连接且以分别被施加源极电位、漏极电位的方式构成；导电膜，设置在基板的第二面；电压施加部，构成为：向导电膜供给等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个；以及显示元件层，隔着晶体管设置在基板的第一面，并且包括多个像素。

在本技术的一种实施方式的半导体装置和显示装置中，因为向导电膜供给等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个，所以在基板中不易产生电荷。

根据本技术的一种实施方式的半导体装置和显示装置，因为向导电膜供给了等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个，所以能够抑制起因于基板中的电荷的晶体管的特性变化。因此，可以抑制晶体管的可靠性降低。再有，不一定限定于这里所记载的效果，也可以是本公开中记载的任何一个效果。

附图说明

图1是本技术的一种实施方式的显示装置的概略结构的示意图。

图2是表示图1所示的显示装置的整体结构的方框图。

图3是比较例1的半导体装置的概略结构的示意图。

图4是用于说明施加到图3所示的基板的电场的模式图。

图5是比较例2的半导体装置的概略结构的截面示意图。

图6是用于说明施加到图1所示的基板的电场的模式图。

图7是表示向图1所示的导电膜供给的电位的大小与TFT的阈值电压的变动的关系的图。

图8是表示显示装置的功能结构的方框图。

图9是表示摄像装置的结构的方框图。

图10是表示电子设备的结构的方框图。

符号的说明