[发明专利]在多个侧面上具有栅极堆叠体的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管(TFT)设备，包括：

包括金属氧化物的多个堆叠结构，其中，所述多个堆叠结构中的两个相邻结构由居间结构分开；

所述多个堆叠结构的至少第一侧和第二侧上的栅极电介质材料；以及

包括第一段和第二段的栅极电极，其中，所述栅极电极的所述第一段和所述第二段分别在所述多个堆叠结构的所述第一侧和所述第二侧上。

2.根据权利要求1所述的TFT设备，其中，所述栅极电极包括第三段，以耦合所述第一段和所述第二段，并且其中，所述栅极电极的所述第三段在所述多个堆叠结构的第三侧上。

3.根据权利要求2所述的TFT设备，还包括：

所述多个堆叠结构的所述第三侧上的栅极电介质材料。

4.根据权利要求2所述的TFT设备，还包括：

所述多个堆叠结构的第四侧上的衬底，

其中，所述第三侧和所述第四侧是所述多个堆叠结构的两个平行侧面，并且

其中，所述第三侧和所述第四侧与所述第一侧和所述第二侧正交。

5.根据权利要求1所述的TFT设备，其中，所述栅极电介质材料用于将所述多个堆叠结构与所述栅极电极分开。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的TFT设备，其中，所述第一侧和所述第二侧是所述多个堆叠结构的两个平行侧面，并且其中，所述TFT设备还包括：

所述多个堆叠结构的第三侧上的第一源极或漏极接触部；以及

所述多个堆叠结构的第四侧上的第二源极或漏极接触部，

其中，所述第三侧和所述第四侧是所述多个堆叠结构的两个平行侧面，并且

其中，所述第三侧和所述第四侧与所述第一侧和所述第二侧正交。

7.根据权利要求6所述的TFT设备，还包括：

将所述栅极电极与所述第一源极或漏极接触部分开的第一间隔体；以及

将所述栅极电极与所述第二源极或漏极接触部分开的第二间隔体。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的TFT设备，其中，所述多个堆叠结构包括所述TFT设备的多个平行沟道区。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的TFT设备，其中，包括金属氧化物的所述多个堆叠结构包括如下材料中的一种或多种：Cu、Zn、Sn、Ti、Ni、Ga、In、Sb、Sr、Cr、Co、V、Mo或O。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的TFT设备，其中，所述栅极电介质材料包括高k电介质材料，所述高k电介质材料包括如下材料中的一种或多种：Hf、Si、O、Zr、Al或N。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的TFT设备，还包括：

与所述多个堆叠结构交错的多个居间结构。

12.根据权利要求11所述的TFT设备，其中，所述居间结构中的个体居间结构包括钝化材料。

13.一种系统，包括：

存储指令的存储器；

执行所述指令的处理器；以及

将所述处理器与另一装置通信耦合的无线接口；

其中，所述系统的集成电路(IC)包括所述存储器、所述处理器或所述无线接口中的一个或多个，其中，所述IC包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管(TFT)包括：

至少一个半导体结构，其包括与包括钝化材料的层相邻的金属氧化物，以及

围绕所述至少一个半导体结构的至少第一侧和第二侧的栅极堆叠体。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述TFT还包括：

所述至少一个半导体结构的第三侧上的第一源极或漏极接触部；以及

所述至少一个半导体结构的第四侧上的第二源极或漏极接触部。