[发明专利]一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法

权利要求书

1.一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，所述单晶衬底为钙钛矿氧化物单晶衬底，单晶衬底为(011)取向的Ge或(001)取向的SrTiO₃中的一种；

步骤2，在衬底表面覆盖一层石墨烯；

步骤3，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜；具体方法如下：

将经步骤2处理的衬底和将要生长的钛酸钡靶材装入脉冲激光沉积生长腔中，抽真空，去除薄膜表面吸附的污染物，控制温度并通入氧气，以调整腔室中的氧分压，控制氧分压在20Pa以下，打开脉冲激光器进行薄膜生长，结束生长后向腔内通入空气，取出样品；

若单晶衬底为(011)取向的Ge，则生长钛酸钡薄膜的生长氧分压为3×10^-4Pa以下；若单晶衬底为(001)取向的SrTiO₃，则生长钛酸钡薄膜的生长氧分压为1-20Pa；

步骤4，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。

2.如权利要求1所述一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，其特征在于，所述石墨烯为单层连续石墨烯。

3.如权利要求1所述一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤2中覆盖石墨烯的方法为直接生长或铜上生长然后转移。

4.如权利要求1所述一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤3中生长钛酸钡薄膜的生长温度为500-800℃。