[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910150212.0 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109817691B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 袁永 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/00 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,包括:弯折区和非弯折区;衬底基板;设置在衬底基板上的多条栅极线和多条数据线,栅极线和数据线在衬底基板的正投影交叠;设置在衬底基板上的至少一条检测信号线,检测信号线位于栅极线远离衬底基板的一侧,在垂直于衬底基板的方向,栅极线与检测信号线之间由至少一层绝缘层隔离;在弯折区,在垂直于衬底基板的方向,检测信号线与栅极线之间的至少部分绝缘层为有机膜层。通过在衬底基板上设置检测信号线,并用有机膜层代替弯折区的部分无机膜层,减小弯折区对应绝缘层的介电系数并减小其弹性模量,从而有利于减小检测信号线产生的寄生电容,并有利于提升显示面板的弯折能力。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着科学技术的发展,人们对显示面板的要求越来越多样化,由于低温多晶硅(LTPS)和氧化物半导体(IGZO)阵列结构特性而产生寄生电容,导致电流速率较低,影响电路性能,因此,未来将使用LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低温多晶氧化物)基板技术做大尺寸OLED折叠屏。
目前使用的基板技术中,当需要探测显示面板中某一节点的电压或电流时,通常会引入检测信号线,检测信号线通常与数据线同层设置,如此导致检测信号线与扫描线之间产生的寄生电容较大,使检测信号线对节点电流或电压的探测受到很大的影响,影响探测结果的准确性。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种显示面板及显示装置,在衬底基板上设置检测信号线,栅极线和检测信号线通过绝缘层隔离,在弯折区,检测信号线与栅极线之间的至少部分绝缘层为有机膜层,从而有利于降低检测信号线与栅极线之间的寄生电容,并有利于提升显示面板及显示装置的弯折性能。
第一方面,本申请提供一种显示面板,其特征在于,包括:
弯折区和非弯折区;
衬底基板;
设置在所述衬底基板上的多条栅极线和多条数据线,所述栅极线和所述数据线在所述衬底基板的正投影交叠;
设置在所述衬底基板上的至少一条检测信号线,所述检测信号线位于所述栅极线远离所述衬底基板的一侧,在垂直于所述衬底基板的方向,所述栅极线与所述检测信号线之间由至少一层绝缘层隔离;
在所述弯折区,在垂直于所述衬底基板的方向,所述检测信号线与所述栅极线之间的至少部分绝缘层为有机膜层。
第二方面,本申请提供一种显示装置,包括显示面板,该显示面板为本申请所提供的显示面板。
与现有技术相比,本申请提供的显示面板及显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请所提供的显示面板及显示装置,在衬底基板上设置检测信号线,栅极线和检测信号线通过绝缘层隔离,在弯折区,检测信号线与栅极线之间的至少部分绝缘层为有机膜层,由于有机膜层的介电系数较小,而电容的大小与绝缘层的介电系数成正比,因而有机膜层的引入有利于减小检测信号线与栅极线之间产生的寄生电容,进而减小寄生电容对检测信号线检测结果的影响,因而有利于提升检测信号线对电压或电流探测结果的准确性;同时,由于有机膜层的弹性模量较小,弹性模量越小,刚度越小,越易弯折,因而在弯折区引入有机膜层还有利于提升显示面板及显示装置在弯折区的弯折性能。
当然,实施本申请的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述,本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例,并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
图1所示为现有技术中一种显示面板的截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的