[发明专利]质量分析器

权利要求书

1.一种质量分析器，其特征在于，包括一对电极阵列，所述一对电极阵列中的一个电极阵列是所述一对电极阵列中的另一个电极阵列相对于所述电极阵列之间的中间平面的镜像，每个阵列包括一组聚焦电极，并且所述一对电极阵列在使用中被供应有相同的电压模式，以在所述一对电极阵列之间的空间中产生静电场，用于使离子在所述空间中经历周期性的振荡运动，由此离子在所述一组聚焦电极的电极之间穿过，并且在所述中间平面被重复地聚焦，其中，每个所述一组聚焦电极中的至少一个电极具有比同组的其它电极的电极表面更接近所述中间平面的所述电极表面，其中，每个电极阵列被安装在由电绝缘材料制成的基底构件上，每个所述一组聚焦电极中的所述至少一个电极和/或所述基底构件被配置为增加每个所述一组聚焦电极中的所述至少一个电极和紧邻的电极之间的表面跟踪距离。

2.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于，所述基底构件在每个所述一组聚焦电极的所述至少一个电极和所述紧邻的电极之间被设置有凹槽或凹部，以增加每个所述一组聚焦电极的所述至少一个电极和所述紧邻的电极之间的表面跟踪距离。

3.根据权利要求1或2所述的质量分析器，其特征在于，每个所述一组聚焦电极的所述至少一个电极在靠近安装有所述电极的基底构件的所述电极的下部比在远离所述基底构件的所述电极的上部更窄，以增加每个所述一组聚焦电极的所述至少一个电极和所述紧邻的电极之间的表面跟踪距离。

4.根据权利要求3所述的质量分析器，其特征在于，使用电绝缘间隔物，每个所述一组聚焦电极的所述至少一个电极被安装在所述基底构件上，以增加每个所述一组聚焦电极的所述至少一个电极和所述紧邻的电极之间的表面跟踪距离。

5.根据权利要求4所述的质量分析器，其特征在于，使用电绝缘间隔物，所述紧邻的电极也被安装在所述基底构件上。

6.根据权利要求5所述的质量分析器，其特征在于，每个电极阵列的电极通过固定构件被安装在所述基底构件上。

7.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于，每个所述电极阵列的电极是同心环电极，阵列的环形电极包括多个固定构件，并通过所述多个固定构件被安装在所述基底构件上，所述多个固定构件相对于在基底构件上安装相邻的环形电极的固定构件成角度地偏移。

8.根据权利要求7所述的质量分析器，其特征在于，所述基底构件具有凹槽或狭槽，所述凹槽或狭槽被配置为增加相邻环形电极的固定构件之间的表面跟踪距离。

9.根据权利要求3所述的质量分析器，其特征在于，每个所述电极阵列的电极通过焊接或粘合剂结合被安装在基底构件上。

10.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于，每个电极阵列的电极被安装在形成有多个开口的所述基底构件上，所述阵列的至少两个电极形成有多个固定构件，一个电极的固定构件和紧邻的电极的固定构件均被安装在所述基底构件中的各个开口中，在所述固定构件之间具有间隙，以增加所述一个电极和紧邻的电极之间的表面跟踪距离。

11.根据权利要求10所述的质量分析器，其特征在于，所述固定构件安装在所述开口的金属化边缘表面上。

12.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于，每个所述一组聚焦电极中的所述至少一个电极被定位成面对所述中间平面处的电场梯度具有最大值的区域。

13.根据权利要求1或12所述的质量分析器，其特征在于，每个所述一组聚焦电极中的所述至少一个电极和同组的紧邻电极在使用时被供应具有相反极性的电压。

14.根据权利要求13所述的质量分析器，其特征在于，每个所述一组聚焦电极中的所述至少一个电极和紧邻的电极具有比所述同组的其它电极的电极表面更靠近所述中间平面的电极表面。