[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201910150857.4 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110364431B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 林昌之;柴山宣之;远藤亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李默;陈林 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,用作为硫酸与双氧水的混合液的SPM从基板上去除抗蚀剂,其中,所述基板处理方法包括:
第一SPM供给工序,向基板供给第一SPM,所述第一SPM是通过将硫酸与双氧水按照用于表示硫酸与双氧水的比的第一混合比混合而生成的,
含硫酸液体供给工序,在所述第一SPM供给工序中停止供给所述第一SPM后,向所述基板供给以比所述第一SPM高的浓度含有硫酸的含硫酸液体,
排液工序,使在所述第一SPM供给工序中供给至所述基板并从所述基板排出的所述第一SPM流入排液管道,
回收工序,包括使在所述含硫酸液体供给工序中供给至所述基板并从所述基板排出的所述含硫酸液体流入回收管道的工序以及使已流入所述回收管道的所述含硫酸液体流入用于贮存硫酸的硫酸罐的工序,
再混合工序,通过将双氧水与由所述回收管道引导的所述含硫酸液体混合来生成所述SPM,
硫酸浓度测定工序,测定所述硫酸罐内的硫酸的硫酸浓度,
硫酸补充工序,在所述硫酸浓度测定工序中测定的硫酸浓度低于下限值的情况下,向所述硫酸罐内供给硫酸浓度比所述硫酸罐内的硫酸的硫酸浓度高的硫酸。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
所述含硫酸液体供给工序包括第二SPM供给工序,在所述第二SPM供给工序中,在所述第一SPM供给工序中停止供给所述第一SPM后,向所述基板供给第二SPM,所述第二SPM是通过将硫酸与双氧水按照用于表示硫酸与双氧水的比且大于所述第一混合比的第二混合比混合而生成的,
所述回收工序包括使在所述第二SPM供给工序中供给至所述基板并从所述基板排出的所述第二SPM流入所述回收管道的工序,
所述再混合工序包括通过将双氧水与含有由所述回收管道引导的所述第二SPM的硫酸混合来生成所述SPM的工序。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,还包括:
第一SPM捕获工序,使包围所述基板并且与所述排液管道连接的第一挡板接收在所述第一SPM供给工序中从所述基板排出的所述第一SPM,以及
第二SPM捕获工序,使包围所述基板并且与所述回收管道连接的第二挡板接收在所述第二SPM供给工序中从所述基板排出的所述第二SPM。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理方法还包括挡板切换工序,在所述挡板切换工序中,在所述第一SPM供给工序中停止供给所述第一SPM的同时或在所述第一SPM供给工序中停止供给所述第一SPM之后,将所述第一挡板及所述第二挡板的状态从由所述第一挡板接收从所述基板排出的液体的第一状态切换为由所述第二挡板接收从所述基板排出的液体的第二状态。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其中,
所述挡板切换工序包括:在所述第二SPM供给工序中开始供给所述第二SPM后,将所述第一挡板及所述第二挡板的状态从所述第一状态切换为所述第二状态的工序。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其中,
所述挡板切换工序包括相对移动工序,在所述相对移动工序中,一边使所述第一挡板接收从所述基板排出的所述第二SPM,一边使所述基板与所述第一挡板在上下方向上相对移动。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述第一SPM供给工序包括喷嘴内混合工序,在所述喷嘴内混合工序中,将硫酸与双氧水在喷嘴内混合,并且将在所述喷嘴内生成的所述第一SPM从所述喷嘴向所述基板喷出。
8.根据权利要求2~6中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理方法还包括混合比连续增加工序,在所述混合比连续增加工序中,在所述第一SPM供给工序及所述第二SPM供给工序中一边向所述基板供给所述SPM,一边使硫酸与双氧水的比从所述第一混合比连续地增加至所述第二混合比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造