[发明专利]一种碳布表面原位生长WO3

权利要求书

1.一种碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)先将碳布完全浸入丙酮中超声处理，然后再将处理后的碳布置于HCl溶液中超声处理后再用纯水超声处理，最后再将其置于无水乙醇中超声处理后用无水乙醇继续冲洗若干次；

2)取分析纯钨源(NH₄)₁₀W₁₂O₄₁·5H₂O溶于高纯水中制成0.01～2mol/L的溶液A；

3)按乙二胺四乙酸和钨源的物质的量之比为(0.01～2)：1向溶液A中加入分析纯乙二胺四乙酸磁力搅拌、超声处理得到溶液B；

4)将溶液B倒入聚四氟乙烯内衬高压反应釜中，将处理好的碳布放入含有溶液B的聚四氟乙烯反应釜中；

5)将密封好的反应釜放入均相水热反应仪中在100～180℃反应6～30h；

6)反应结束后冷却至室温，将最终反应物用无水乙醇离心洗涤，对离心洗涤后的物质进行干燥得到碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料。

2.根据权利要求1所述的碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)的碳布长1～7cm，宽1～7cm，在丙酮中超声处理15～30min。

3.根据权利要求1所述的碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)HCl溶液的浓度为3～5mol/L，在HCl溶液及纯水中超声处理15～30min。

4.根据权利要求1所述的碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)无水乙醇中超声处理15～30min，用无水乙醇继续冲洗3～5次。

5.根据权利要求1所述的碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤3)磁力搅拌20～50min，超声处理5～10min。

6.根据权利要求1所述的碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤4)溶液B倒入聚四氟乙烯内衬高压反应釜的体积填充比为20～60％。

7.根据权利要求1所述的碳布表面原位生长WO₃/WO₃·0.33H₂O自支撑电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤6)的干燥采用50～60℃真空烘箱或在冷冻干燥箱中干燥5～8h。