[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法

说明书

本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管制作方法，其中，发光二极管芯片包括依次层叠设置的发光二极管晶圆、电流扩展层和电流阻挡层。其中，所述发光二极管晶圆开设有台阶；所述发光二极管芯片还包括P电极和N电极，所述P电极设置于所述电流扩展层，所述N电极设置于所述台阶；所述电流阻挡层为分布式布拉格反射镜结构。本申请提供的发光二极管芯片能够提高亮度和发光效果。

技术领域

本申请涉及发光二极管领域，特别是涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法。

背景技术

发光二极管，简称LED(Light Emitting Diode)。随着发光二极管技术的快速发展以及发光二极管光效的逐步提高，发光二极管的应用将越来越广泛。发光二极管芯片，简称LED芯片，是发光二极管的核心组件。

发光二极管芯片的制备主要包括刻台阶、制作隔离槽、制作电流阻挡层、制作电流扩展层、制作电极、制作反射层、制作焊盘。

传统技术中，制备发光二极管芯片时，电流阻挡层主要使用SiO₂等材料，这样的发光二极管芯片存在亮度较低的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法。

一种发光二极管芯片，包括依次层叠设置的发光二极管晶圆、电流扩展层和电流阻挡层，其中，所述发光二极管晶圆开设有台阶；

所述发光二极管芯片还包括P电极和N电极，所述P电极设置于所述电流扩展层，所述N电极设置于所述台阶；

所述电流阻挡层为分布式布拉格反射镜结构。

在其中一个实施例中，所述电流阻挡层包括多个电流阻挡层段，所述多个电流阻挡层段之间间隔设置。

在其中一个实施例中，所述电流阻挡层包括多层交叠设置的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率不同。

在其中一个实施例中，所述第一膜层和所述第二膜层的交叠总层数为4层-25层。

在其中一个实施例中，所述第一膜层的材料为TiO₂或Ti₃O₅，所述第二膜层的材料为SiO₂。

在其中一个实施例中，所述发光二极管芯片还包括所述台阶开设有隔离槽。

在其中一个实施例中，所述隔离槽的宽度为2um-10um。

在其中一个实施例中，所述发光二极管芯片还包括：

布拉格反射层，设置于所述P电极和所述N电极，所述布拉格反射层开设有电极接触孔。

在其中一个实施例中，所述发光二极管芯片还包括：

焊盘层，设置于所述布拉格反射层，且通过所述电极接触孔与所述P电极和所述N电极连接。

一种发光二极管，包括如上所述的发光二极管芯片。

本申请实施例提供的所述发光二极管芯片和所述发光二极管包括电流阻挡层，所述电流阻挡层为DBR结构。DBR结构的所述电流阻挡层能够减少光的吸收，将更多的光反射出去，因此，相比于传统SiO₂的电流阻挡层，本实施提供的所述发光二极管芯片能够提高亮度和发光效果。同时，本实施例中，所述电流阻挡层位于所述电流扩展层的上方。这样的结构设计，使得所述发光二极管芯片在生产制作时，将MESA刻所述台阶和所述电流扩展层的制作合成一道制程进行，从而减少一道制程，缩短制作时间，提高制作效率。

一种发光二极管芯片制作方法，包括：

在发光二极管晶圆上刻台阶，并制作电流扩展层；