[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法及显示装置在审
| 申请号： | 201910151857.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109873027A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王龙彦;朱晖 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕;南霆 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 源漏电极 金属氧化物半导体薄膜 晶体管 栅极金属层 栅极绝缘层 显示装置 衬底 金属氧化物半导体材料 刻蚀阻挡层 金属元素 刻蚀过程 连续沉积 制造过程 制作过程 制作 | ||
1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
栅极金属层，形成在所述衬底上；
栅极绝缘层，形成在所述栅极金属层上；
沟道，形成在所述栅极绝缘层上；
源漏电极，形成在所述沟道上；
其中，所述沟道与所述源漏电极材料为含同种金属元素的金属氧化物半导体材料，且所述沟道氧含量高于所述源漏电极氧含量。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极对应的设置在所述栅极金属层的两侧；所述金属氧化物半导体薄膜晶体管还包括设置于所述源漏电极上的保护层，所述保护层通过所述源电极和漏电极的中间区域与所述沟道直接接触。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，基于相同的湿法刻蚀液，所述沟道的刻蚀速率小于所述源漏电极的刻蚀速率。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
5.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上，形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上，形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上，分别在第一气氛和第二气氛下沉积沟道层和源漏电极层，所述第一气氛中氧气的体积占比大于所述第二气氛中氧气的体积占比；处理所述沟道层形成沟道，处理所述源漏电极层形成源漏电极；所述沟道与所述源漏电极材料为含同种金属元素的金属氧化物半导体材料。
6.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，沉积形成所述沟道层后，将沉积气氛调整至所述第二气氛，连续沉积所述源漏电极层。
7.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一气氛中氧气的体积占比大于或等于40％，所述第二气氛中氧气的体积占比小于或等于5％。
8.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述处理源漏电极层形成源漏电极的步骤中包括：以所述沟道层作为刻蚀阻挡层对所述源漏电极层进行刻蚀的步骤，优选地，以所述沟道层作为刻蚀阻挡层对所述源漏电极层进行刻蚀的步骤中，采用湿法刻蚀工艺。
9.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
在所述源漏电极及通过所述源电极和所述漏电极的中间区域外露的所述沟道上沉积保护层，得到金属氧化物半导体薄膜晶体管。
10.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管。
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