[发明专利]晶体管结构及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成栅极结构；

其中，所述形成所述栅极结构的步骤包括：

在所述基底上形成多层膜，所述多层膜中至少一层为单一元素层；

对所述多层膜进行加热形成功函数层。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用溅射工艺形成所述多层膜。

3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用回流工艺对所述多层膜进行所述加热。

4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成多层膜的步骤包括：在所述基底上形成第一层，所述第一层为第一元素层或者第一元素和第二元素构成的膜层；

在所述第一层上形成第二层，所述第二层包括第二元素且与所述第一层的材料不相同。

5.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层为第一元素层；所述第二层为第二元素层；形成所述多层膜的步骤还包括：

在所述第二层上形成第三层，所述第三层为第一元素层或者第一元素和第二元素构成的膜层。

6.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层的厚度为至所述第二层的厚度为至

所述第三层为第一元素层，厚度为至或者，所述第三层为第一元素和第二元素构成的膜层，厚度为至

7.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层为第一元素层；所述第二层为第一元素和第二元素构成的膜层；形成所述多层膜的步骤还包括：

在所述第二层上形成第三层，所述第三层为第二元素层或者第一元素层。

8.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层的厚度为至所述第二层的厚度为至所述第三层的厚度为至

9.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层为第一元素和第二元素构成的膜层；所述第二层为第二元素层；形成所述多层膜的步骤还包括：

在所述第二层上形成第三层，所述第三层为第一元素层。

10.如权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层的厚度为至所述第二层的厚度为至所述第三层的厚度为至

11.如权利要求4、5、7、或9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一元素为Al，所述第二元素为Ti；

或者，所述第一元素为Ti，所述第二元素为Al。

12.一种晶体管，其特征在于，包括：

基底；

多层膜，位于所述基底上；

所述多层膜中至少一层为单一元素层，所述多层膜用于加热形成功函数层。

13.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述多层膜包括第一层、位于所述第一层上的第二层以及位于所述第二层上的第三层。

14.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述第一层为第一元素层；

所述第二层为第二元素层；所述第三层为第一元素层或者第一元素和第二元素构成的膜层。

15.如权利要求14所述的晶体管，其特征在于，所述第一层的厚度为至所述第二层的厚度为至

所述第三层为第一元素层，厚度为至或者，所述第三层为第一元素和第二元素构成的膜层，厚度为至

16.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述第一层为第一元素层；

所述第二层为第一元素和第二元素构成的膜层；所述第三层为第二元素层或者第一元素层。